PDF NTE2987 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza	NTE2987
Descripción	Logic Level MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch
Fabricantes	NTE
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No Preview Available ! NTE2987 Logic Level MOSFET N–Channel, Enhancement Mode High Speed Switch Features: D Avalanche Rugged Technology D Logic Level Gate Drive D RDS(on) = 0.09Ω Typ. at VGS = 5V D +175°C Operating Temperature D Fast Switching D Low Gate Charge D High Current Capability Absolute Maximum Ratings: Drain Current, ID Continuous TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14A Pulsed (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80A Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105W Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.7W/°C Gate–Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±15V Avalanche Current, Repetitive or Non–Repetitive (Note 2), IAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A Single Pulsed Avalanche Energy (Note 3), EAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120mJ Repetitive Avalanche Energy (Note 2), EAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mJ Avalanche Current, Repetitive or Non–Repetitive (Note 4), IAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14A Drain–Source Voltage (VGS = 0), VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Drain–Gate Voltage (RGS = 20kΩ), VDGR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +175°C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1.6mm from case, 10sec), TL . . . . . . . . . . +300°C Thermal Resistance: Maximum Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.43°C/W Typical Case–to–Sink (Mounting surface flat, smooth, and greased), RthCS . . . . . . 0.5°C/W Maximum Junction–to–Ambient (Free Air Operation), RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62.5°C/W Note 1. Pulse width limited by safe operating area. Note 2. Pulse width limited by TJ max, Duty Cycle < 1%. Note 3. VDD = 25V, ID = IAR, Starting TJ = +175°C. Note 4. TC = +100°C, Pulse width limited by TJ max, Duty Cycle < 1%. 1 page

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Hoja de datos destacado

Número de pieza	Descripción	Fabricantes
NTE298	Silicon Complementary Transistors	NTE
NTE2980	Logic Level MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch	NTE
NTE2981	Logic Level MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch	NTE
NTE2984	Logic Level MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch	NTE

Número de pieza	Descripción	Fabricantes
SLA6805M	High Voltage 3 phase Motor Driver IC.	Sanken
SDC1742	12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.	Analog Devices

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