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PDF NTE2989 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2989 | |
| Descripción | MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2989
MOSFET
N–Channel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Features:
D High Speed Switching
D Low On–Resistance
D No Secondary Breakdown
D Low Driving Power
D High Voltage
D Repetitive Avalanche Rated
Applications:
D Switching Regulators
D UPS
D DC–DC Converters
D General Purpose Power Amplifier
Absolute Maximum Ratings: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Drain–Source Voltage, VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
Drain Current, ID
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A
Pulsed . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36A
Gate–Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V
Avalanche Current, Repetitive or Non–Repetitive (Tch ≤ +150°C), IAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A
Avalanche Energy, EAS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 64.7mJ
Maximum Power Dissipation, PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 62.5°C/W
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5°C/W
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
Drain–Source Breakdown Voltage
V(BR)DSS ID = 1mA, VGS = 0V
600 – – V
Gate Threshold Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
VGS(th) ID = 1mA, VDS = VGS
3.5 4.0 4.5 V
IDSS
VDS = 600V,
VGS = 0V
Tch = +25°C
Tch = +125°C
–
–
10 500 µA
0.2 1.0 mA
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE298 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| NTE2980 | Logic Level MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| NTE2981 | Logic Level MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| NTE2984 | Logic Level MOSFET N-Channel / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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