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PDF NTE299 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE299 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor RF Power Amp / Driver | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE299
Silicon NPN Transistor
RF Power Amp, Driver
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
Power Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +125°C
Storage Temperatur Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +125°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25°C/W
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector–Base Breakdown Voltage
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
V(BR)CBO IC = 1mA, IE = 0
V(BR)CEO IC = 10mA, RBE = ∞
V(BR)EBO IE = 1mA, IC = 0
ICBO VCB = 30V, IE = 0
DC Current Gain
Power Output
hFE VCE = 10V, IC = 0.1A
PO VCC = 12V, f = 27MHz, PIN = 75mW,
IC < 166mA
Min Typ Max Unit
75 – – V
35 – – V
4––V
– – 10 µA
10 70 300
1.2 1.4 – W
.380 (9.56)
.180 (4.57)
C .132 (3.35) Dia
.500
(12.7)
1.200
(30.48)
Ref
.300
(7.62)
.325
(9.52)
.070 (1.78) x 45°
Chamf
.050 (1.27)
.400
(10.16)
Min
CB E
.100 (2.54)
.100 (2.54)
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE29 | Silicon Complementary Transistors High Power / High Current Switch | NTE |
| NTE290 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| NTE2900 | MOSFET N-Ch / Enhancement Mode High Speed Switch | NTE |
| NTE290A | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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