DataSheet26.com

NTE300 PDF даташит

Спецификация NTE300 изготовлена ​​​​«NTE» и имеет функцию, называемую «Silicon Complementary Transistors Audio Power Amplifier».

Детали детали

Номер произв NTE300
Описание Silicon Complementary Transistors Audio Power Amplifier
Производители NTE
логотип NTE логотип 

2 Pages
scroll

No Preview Available !

NTE300 Даташит, Описание, Даташиты
NTE300 (NPN) & NTE307 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
Audio Power Amplifier
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5A
Collector Power Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector–Base Breakdown Voltage
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Collector–Emitter Saturation Voltage
Base–Emitter Voltage
V(BR)CBO IC = 1mA, IE = 0
V(BR)EBO IC = 10mA, RBE =
V(BR)EBO IE = 1mA, IC = 0
ICBO VCB = 25V, IE = 0
IEBO VEB = 5V, IC = 0
hFE VCE = 4V, IC = 500mA
VCE(sat) IC = 1A, IB = 50mA
VBE VCE = 4V, IC = 50mA
Min Typ Max Unit
50 – – V
40 – – V
5––V
– – 1 µA
– – 1 µA
55 – 300
––1V
– 0.7 – V









No Preview Available !

NTE300 Даташит, Описание, Даташиты
.380 (9.56)
.180 (4.57)
C .132 (3.35) Dia
.500
(12.7)
1.200
(30.48)
Ref
.300
(7.62)
.325
(9.52)
.070 (1.78) x 45°
Chamf
.050 (1.27)
.400
(10.16)
Min
E BC
.100 (2.54)
.100 (2.54)










Скачать PDF:

[ NTE300.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
NTE30Silicon Complementary TransistorsNTE
NTE
NTE300Silicon Complementary Transistors Audio Power AmplifierNTE
NTE
NTE3000Light Emitting Diode Miniature / Clear RedNTE
NTE
NTE30001Infrared Emitting Diode Bi.DirectionalNTE
NTE

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск