NTE300 PDF даташит
Спецификация NTE300 изготовлена «NTE» и имеет функцию, называемую «Silicon Complementary Transistors Audio Power Amplifier». |
|
Детали детали
Номер произв | NTE300 |
Описание | Silicon Complementary Transistors Audio Power Amplifier |
Производители | NTE |
логотип |
2 Pages
No Preview Available ! |
NTE300 (NPN) & NTE307 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
Audio Power Amplifier
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5A
Collector Power Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector–Base Breakdown Voltage
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Collector–Emitter Saturation Voltage
Base–Emitter Voltage
V(BR)CBO IC = 1mA, IE = 0
V(BR)EBO IC = 10mA, RBE = ∞
V(BR)EBO IE = 1mA, IC = 0
ICBO VCB = 25V, IE = 0
IEBO VEB = 5V, IC = 0
hFE VCE = 4V, IC = 500mA
VCE(sat) IC = 1A, IB = 50mA
VBE VCE = 4V, IC = 50mA
Min Typ Max Unit
50 – – V
40 – – V
5––V
– – 1 µA
– – 1 µA
55 – 300
––1V
– 0.7 – V
No Preview Available ! |
.380 (9.56)
.180 (4.57)
C .132 (3.35) Dia
.500
(12.7)
1.200
(30.48)
Ref
.300
(7.62)
.325
(9.52)
.070 (1.78) x 45°
Chamf
.050 (1.27)
.400
(10.16)
Min
E BC
.100 (2.54)
.100 (2.54)
Скачать PDF:
[ NTE300.PDF Даташит ]
Номер в каталоге | Описание | Производители |
NTE30 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
NTE300 | Silicon Complementary Transistors Audio Power Amplifier | NTE |
NTE3000 | Light Emitting Diode Miniature / Clear Red | NTE |
NTE30001 | Infrared Emitting Diode Bi.Directional | NTE |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |