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PDF NTE308 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE308 | |
| Descripción | Integrated Thyristor/Rectifier (ITR) TV Horizontal Deflection & Commutating Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE308
Integrated Thyristor/Rectifier (ITR)
TV Horizontal Deflection & Commutating Switch
Absolute Maximum Ratings:
Repetitive Peak Forward Off–State and Reverse Voltage, VDRM, VRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
RMS On–State Current, ITRMSM, IFRMSM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8A
Mean On–State Current (TC = +80°C), ITAVM, IFAVM
Thyristor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.4A
Diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.45A
Repetitive Peak On–State Current, ITRM, IFRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A
Surge Current (t = 10ms, tvi = +100°C), ITSM, IFSM
Thyristor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80A
Diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60A
Non–Repetitive Rate of Rise of On–State Current, di/dtcrit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500A/µs
Repetitive Rate of Rise of On–State Current (ITM = 20A, tvi = +100°C, VDM = 640V), di/dtcrit
(Pulse Generator Data: vL = 8V, iK = 0.25A, diG/dt ≥ 0.25A/µs)
fo = 50Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300A/µs
fo = 16kHz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100A/µs
Rate of Rise of Off–State Voltage (tvi = +100°C, VD = 536V), dv/dtcrit . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V/µs
Rate of Rise of Voltage Subsequent to Prior On–State Current, dv/dtcrit
tvi = +100°C, VD = 536V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000V/µs
Peak Gate Power Losses (tg ≤ 10µs), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W
Total Mean Gate Power Loss for One Cycle, PG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W
Operating Temperature Range, Topr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +100°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +130°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3°C/W
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA
Without Heatsink . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35°C/W
On Vertical Cooling Fin 60mm x 60mm x 1.5mm, Al or Cu, Roughened Surface . . 10°C/W
Electrical Characteristics:
Maximum On–State Voltage (tvi = +25°C, iT = iF = 10A), VT, VF
Thyristor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.16V
Diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2V
Threshold Voltage, V(TO)
Thyristor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.6V
Diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4V
Forward Slope Resistance, rT, rF
Thyristor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53Ω
Diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70Ω
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE30 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| NTE300 | Silicon Complementary Transistors Audio Power Amplifier | NTE |
| NTE3000 | Light Emitting Diode Miniature / Clear Red | NTE |
| NTE30001 | Infrared Emitting Diode Bi.Directional | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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