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PDF NTE3123 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE3123 | |
| Descripción | Phototransistor Silicon NPN / Intermediate Acceptance / High Sensitivity / Darlington | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE3123
Phototransistor
Silicon NPN, Intermediate Acceptance,
High Sensitivity, Darlington
Features:
D Epoxy Resin Package
D Compact
D Intermediate Acceptance: ∆q = ±40° Typ
D Visible Light Cut–Off
Applications:
D VCRs
D Optoelectronic Switches
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V
Emitter–Collector Voltage, VECO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA
Collector Power Disspation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75mW
Operating Temperature Range, Topr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –25° to +85°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +85°C
Lead Temperature, TL
During Soldering, 1.4mm from surface of resin edge, 3sec . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +260°C
Electrical Characteristics:
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
Collector Current
Collector Dark Current
Collector–Emitter Saturation Voltage
IC
ICBO
VCE(sat)
VCE = 2V, Ev = 2ȏx, Note 1
VCE = 10V, Ee = 0
IC = 0.8mA, Ee = 1mW/cm2,
Note 1
0.2 0.4 0.8 mA
– – 10–6 A
– – 1.0 V
Peak Emission Wavelength
λP
– 860 – nm
Response Time (Rise)
Response Time (Fall)
tr VCE = 2V, IC = 5mA, RL = 100Ω – 400 2000 µs
tf – 300 1500 µs
Half Intensity Angle
∆q
– ±40 – deg.
Note 1. Ee, Ev: Illuminance, irradiance by CIE standard light source A (tungsten lamp).
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE312 | N-Channel Silicon Junction Field Effect Transistor | NTE |
| NTE3120 | Silicon NPN Phototransistor Detector | NTE |
| NTE3122 | Phototransistor Silicon NPN / Narrow Acceptance / High Sensitivity / Darlington | NTE |
| NTE3123 | Phototransistor Silicon NPN / Intermediate Acceptance / High Sensitivity / Darlington | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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