DataSheet26.com

NTE319 PDF даташит

Спецификация NTE319 изготовлена ​​​​«NTE» и имеет функцию, называемую «Silicon NPN Transistor VHF Amp w/Forward AGC».

Детали детали

Номер произв NTE319
Описание Silicon NPN Transistor VHF Amp w/Forward AGC
Производители NTE
логотип NTE логотип 

2 Pages
scroll

No Preview Available !

NTE319 Даташит, Описание, Даташиты
NTE319P
Silicon NPN Transistor
VHF Amp w/Forward AGC
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA
Total Power Dissipation (TA = +25°C), PT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 625mW
Derate above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5mW/°C
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Lead Temperature (During Soldering, 1/16” ±1/32” from case, 10sec), TL . . . . . . . . . . . . . . . +230°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector–Base Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
DC Current Gain
Collector Saturation Voltage
Collector–Emitter Sustaining Voltage
Current Gain–Bandwidth Product
V(BR)CBO
V(BR)EBO
ICBO
hFE
VCE(sat)
VCEO(sus)
fT
IC = 100µA, IE = 0
IE = 100µA, IC = 0
VCB = 20V, IE = 0
IC = 2mA, VCE = 10V
IC = 10mA, IB = 5mA
IC = 1mA, IB = 0
IC = 2mA, VCE = 10V,
f = 100MHz
Power Gain
Capacitance
Noise Figure
Gpe VBE = 2V, f = 45MHz
Ccb IE = 0, VCB = 10V, f = 1MHz
NF VBE = 2V, f = 45MHz
Min Typ Max Unit
20 – – V
3–– V
– – 50 nA
20 80 220
– – 2.75 V
20 – – V
300 – 500 MHz
27 29 – dB
– 0.13 0.22 pF
– 2.7 5.0 dB









No Preview Available !

NTE319 Даташит, Описание, Даташиты
.210
(5.33)
Max
.135 (3.45) Min
Seating Plane
.500
(12.7)
Min
.021 (.445) Dia Max
.100 (2.54)
.105 (2.67) Max
.205 (5.2) Max
BEC
.050 (1.27)
.165
(4.2)
Max
.105 (2.67) Max










Скачать PDF:

[ NTE319.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
NTE31Silicon Complementary Transistors TV Sound Output / TV Vertical Output / AF Driver OutputNTE
NTE
NTE310Integrated Thyristor/Rectifier (ITR) TV Horizontal Deflection & Trace SwitchNTE
NTE
NTE3100Photon Coupled Interrupter ModuleNTE
NTE
NTE3101Photon Coupled Interrupter Module NPN Darlington OutputNTE
NTE

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск