PDF NTE322 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza	NTE322
Descripción	Silicon NPN Transistor RF Power Output
Fabricantes	NTE
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No Preview Available ! NTE322 Silicon NPN Transistor RF Power Output Description: The NTE322 is a silicon NPN RF power transistor in a TO202N type package designed for use in Citi- zen–Band and other high–frequency communications equipment operating to 30MHz. Higher break- down voltages allow a high percentage of up–modulation in AM circuits. Features: D Output Power: 3.5W (Min) @ VCC = 13.6V D Power Gain: 11.5dB (Min) D High Collector Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CES ≥ 65V D DC Current Gain: Linear to 500mA Absolute Maximum Ratings: Collector–Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65V Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA Total Power Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.0mW/°C Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80mW/°C Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C Storage Junction Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12.5°C/W Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1), RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125°C/W Note 1. RthJA is measured with the device soldered into a typical printed circuit board. 1 page

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Hoja de datos destacado

Número de pieza	Descripción	Fabricantes
NTE32	Silicon Complementary Transistors	NTE
NTE320	Silicon NPN RF Power Transistor 40W @ 175MHz	NTE
NTE320F	Silicon NPN RF Power Transistor 40W @ 175MHz	NTE
NTE322	Silicon NPN Transistor RF Power Output	NTE

Número de pieza	Descripción	Fabricantes
SLA6805M	High Voltage 3 phase Motor Driver IC.	Sanken
SDC1742	12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.	Analog Devices

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