|
|
Número de pieza | NTE330 | |
Descripción | Germanium PNP Transistor High Power Switch | |
Fabricantes | NTE | |
Logotipo | ||
Hay una vista previa y un enlace de descarga de NTE330 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 2 Páginas | ||
No Preview Available ! NTE330
Germanium PNP Transistor
High Power Switch
Description:
The NTE330 is a germanium PNP power transistor in a TO36 type package featuring low saturation
voltage capability for high efficiency performance in motor drive controls and low loss regulators.
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25A
Continuous Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 87.5W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.17W/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +95°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +95°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.8°C/W
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Floating Potential
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
ON Characteristics
V(BR)CEO
VEBF
ICBO
IEBO
IC = 1A, IB = 0
VCB = 50V, IE = 0
VCB = 2V, IE = 0
VCB = 50V, IE = 0
VCB = 50V, IE = 0, TB = +85°C
VBE = 30V, IC = 0
DC Current Gain
Collector–Emitter Saturation Voltage
Base–Emitter Saturation Voltage
Small–Signal Characteristics
hFE
VCE(sat)
VBE(sat)
VCE = 4V, IC = 15A
VCE = 4V, IC = 25A
IC = 25A, IB = 4A
IC = 25A, IB = 3A
Common–Emitter Cutoff Frequency
hhfe VCE = 6V, IC = 5A
Min Typ Max Unit
40 – – V
– – 1.0 V
– – 300 µA
– – 4.0 mA
– – 15 mA
– – 8.0 mA
15 – 60
12 – –
– – 0.7 V
– – 1.5 V
– 4.0 – kHz
1 page |
Páginas | Total 2 Páginas | |
PDF Descargar | [ Datasheet NTE330.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
NTE330 | Germanium PNP Transistor High Power Switch | NTE |
NTE3300 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | NTE |
NTE3301 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | NTE |
NTE3302 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | NTE |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |