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PDF NTE331 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE331 | |
| Descripción | Silicon Complementary Transistors Audio Power Amp / Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE331 (NPN) & NTE332 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
Audio Power Amp, Switch
Description:
The NTE331 (NPN) and NTE332 (PNP) are silicon epitaxial–base complementary power transistors
in a TO–220 plastic package intended for use in power linear and switching applications.
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Base Voltage (IE = 0), VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Collector–Emitter Voltage (IB = 0), VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Emitter–Base Voltage (IC = 0), VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Emitter Current, IE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A
Total Power Dissipation (TC ≤ +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 90W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C
Thermal Resistance Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4°C/W Max
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
Collector Cutoff Current
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
Collector–Emitter Sustaining
Voltage
ICBO IE = 0, VCB = 100V
– – 500 µA
IE = 0, VCB = 100V, TC = +150°C – – 5 mA
ICEO IB = 0, VCE = 50V
– – 1 mA
IEBO IC = 0, VEB = 5V
– – 1 mA
VCEO(sus) IB = 0, IC = 100mA, Note 1
100 – – V
Collector–Emitter Saturation
Voltage
VCE(sat) IC = 5A, IB = 0.5A, Note 1
IC = 10A, IB = 2.5A, Note 1
––1V
––3V
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE330 | Germanium PNP Transistor High Power Switch | NTE |
| NTE3300 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | NTE |
| NTE3301 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | NTE |
| NTE3302 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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