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PDF NTE3321 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE3321 | |
| Descripción | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE3321
Insulated Gate Bipolar Transistor
N–Channel Enhancement Mode,
High Speed Switch
Features:
D High Input Impedance
D High Speed
D Low Saturation Voltage
D Enhancement Mode
Applications:
D High Power Switching
Absolute Maximum Raings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
Gate–Emitter Voltage, VGES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V
Collector Current, IC
DC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80A
Pulse (1ms) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160A
Collector Power Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.625°C/W
Screw Torque . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.8Nm
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Gate Leakage Current
Collector Cutoff Current
Collector–Emitter Breakdown Voltage
IGES
ICES
V(BR)CES
VGE = ±20V, VCE = 0
VCE = 600V, VGE = 0
IC = 2mA, VGE = 0
Gate–Emitter Cutoff Voltage
VGE(off) IC = 80mA, VCE = 5V
Collector–Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC = 10A, VGE = 15V
Input Capacitance
Rise Time
Turn–On Time
IC = 80A, VGE = 15V
Cies VCE = 10V, VGE = 0, f = 1MHz
tr VCC = 300V
ton
Fall Time
tf
Turn–Off Time
toff
Min Typ Max Unit
– – ±500 nA
– – 1.0 mA
600 – – V
3.0 – 6.0 V
– – 2.0 V
– 2.5 3.5 V
– 5500 – pF
– 0.30 0.60 µs
– 0.50 0.80 µs
– 0.25 0.40 µs
– 0.70 1.00 µs
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE332 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| NTE3320 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | NTE |
| NTE3321 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | NTE |
| NTE3322 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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