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PDF NTE451 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE451 | |
| Descripción | Silicon N-Channel JFET Transistor VHF/UHF Amplifier | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE451
Silicon N–Channel JFET Transistor
VHF/UHF Amplifier
Absolute Maximum Ratings:
Drain–Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V
Reverse Gate–Source Voltage, VGSR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25V
Drain Current, ID . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30mA
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350mW
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.8mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Gate–Source Breakdown Voltage
Gate Reverse Current
Gate–Source Cutoff Voltage
ON Characteristics
V(BR)GSS IG = –1µA, VDS = 0
IGSS VGS = –20V, VDS = 0
VGS = –20V, VDS = 0, TA = +100°C
VGS(off) ID = 10nA, VDS = 15V
Zero–Gate–Voltage Drain Current
IDSS VDS = 15V, VGS = 0
Small Signal Characteristics Characteristics
Forward Transfer Admittance
Input Admittance
Output Admittance
Output Conductance
Forward Transconductance
Input Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Output Capacitance
|yfs|
Re(yis)
|yos|
Re(yos)
gfs
Ciss
Crss
Coss
VDS = 15V, VGS = 0, f = 1kHz
VDS = 15V, VGS = 0, f = 400MHz
VDS = 15V, VGS = 0, f = 1kHz
VDS = 15V, VGS = 0, f = 400MHz
VDS = 15V, VGS = 0, f = 400MHz
VDS = 15V, VGS = 0, f = 1MHz
VDS = 15V, VGS = 0, f = 1MHz
VDS = 15V, VGS = 0, f = 1MHz
Min Typ Max Unit
–25 – –
V
– – –1.0 nA
– – –0.2 nA
–0.5 – –4.0 V
4 – 20 mA
3500 – 7000 µmho
– – 1000 µmho
– – 60 µmho
– – 100 µmho
3000 – – µmho
– – 5 pF
– – 1 pF
– – 2 pF
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE451 | Silicon N-Channel JFET Transistor VHF/UHF Amplifier | NTE |
| NTE452 | Silicon N-Channel JFET Transistor VHF Amplifier / Mixer | NTE |
| NTE454 | MOSFET / N-Ch / Dual Gate / TV UHF/RF Amp / Gate Protected | NTE |
| NTE455 | N-Channel Silicon Dual-Gate MOS Field Effect Transistor |  NTE Electronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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