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PDF NTE452 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE452 | |
| Descripción | Silicon N-Channel JFET Transistor VHF Amplifier / Mixer | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE452
Silicon N–Channel JFET Transistor
VHF Amplifier, Mixer
Description:
The NTE452 is a silicon, N–channel junction field effect tranistor (JFET) in a TO72 type package de-
signed to be used in the depletion mode in VHF/UHF amplifiers.
Absolute Maximum Ratings:
Drain–Source Voltage, VDS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
Drain–Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V
Gate–Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
Gate Current, IG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mA
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mW
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.71mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
OFF Characteristics
Gate–Source Breakdown Voltage
Gate Reverse Current
Gate–Source Cutoff Voltage
Gate–Source Voltage
Gate–Source Forward Voltage
ON Characteristics (Note 1)
V(BR)GSS IG = 1µs, VDS = 0
IGSS VGS = 20V, VDS = 0
VGS = 20V, VDS = 0, TA = +150°C
VGS(off) ID = 1nA, VDS = 15V
VGS ID = 0.5mA, VDS = 15V
VGS(f) IG = 1mA, VDS = 0
30 –
–
V
– – 100 pA
– – 200 pA
––6
V
1.0 – 5.5 V
– – 1.0 V
Zero–Gate Voltage Drain Current
Small–Signal Characteristics
IDSS VDS = 15V, VGS = 0
5 – 15 mA
Forward Transfer Admittance
Real Part of Forward Transfer
Admittance
|Yfs| VDS = 15V, VGS = 0, f = 1kHz, Note 1 4500 – 7500 µmhos
Yfs(real) VDS = 15V, VGS = 0, f = 400MHz
4000 –
– µmhos
Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 1%.
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE451 | Silicon N-Channel JFET Transistor VHF/UHF Amplifier | NTE |
| NTE452 | Silicon N-Channel JFET Transistor VHF Amplifier / Mixer | NTE |
| NTE454 | MOSFET / N-Ch / Dual Gate / TV UHF/RF Amp / Gate Protected | NTE |
| NTE455 | N-Channel Silicon Dual-Gate MOS Field Effect Transistor |  NTE Electronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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