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PDF NTE454 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE454 | |
| Descripción | MOSFET / N-Ch / Dual Gate / TV UHF/RF Amp / Gate Protected | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE454
MOSFET, N–Ch, Dual Gate,
TV UHF/RF Amp, Gate Protected
Description:
The NTE454 is a depletion mode dual gate MOSFET transistor designed for VHF amplifier and mixer
applications.
Features:
D Low Reverse Transfer Capacitance – Crss = 0.03pf (Max)
D High Forward Transfer Admittance – |yfe| = 0–20 mmhos
D Diode Protected Gates
2
Gate 2
1
Drain
Absolute Maximum Ratings:
3
Gate 1
4
Source
Drain Source Voltage, VDSX . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20Vdc
Drain–Gate Voltage, VDG1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30Vdc
VDG2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30Vdc
Gate Current, IG1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±10mAdc
IG2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±10mAdc
Drain Current–Continuous, ID . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60mAdc
Total Power Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 360mW
Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4mW/°C
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2Watt
Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.0mW/°C
Storage Channel Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65 to +200°C
Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65 to +175°C
Lead Temperature, 1/16” from Seated Surface for 10 Seconds, TL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300°C
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| PDF Descargar | [ Datasheet NTE454.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE451 | Silicon N-Channel JFET Transistor VHF/UHF Amplifier | NTE |
| NTE452 | Silicon N-Channel JFET Transistor VHF Amplifier / Mixer | NTE |
| NTE454 | MOSFET / N-Ch / Dual Gate / TV UHF/RF Amp / Gate Protected | NTE |
| NTE455 | N-Channel Silicon Dual-Gate MOS Field Effect Transistor |  NTE Electronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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