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PDF NTE47 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE47 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor High Gain / Low Noise Amp | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE47
Silicon NPN Transistor
High Gain, Low Noise Amp
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.5V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 625mW
Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83.3°C/W
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient (Note 1), RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200°C/W
Note 1 RthJA is measured with the device soldered into a typical printed circuit board.
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Colletor–Base Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
ON Characteristics (Note 2)
V(BR)CEO
V(BR)CBO
V(BR)EBO
ICBO
IC = 10mA, IB = 0, Note 2
IC = 100µA, IE = 0
IE = 10µA, IC = 0
VCB = 30V, IE = 0
DC Current Gain
Collector–Emitter Saturation Voltage
Base–Emitter ON Voltage
hFE
VCE(sat)
VBE(on)
VCE = 5V, IC = 10µA
VCE = 5V, IC = 100µA
VCE = 5V, IC = 1mA
VCE = 5V, IC = 10mA
IC = 10mA, IB = 0.5mA
IC = 50mA, IB = 0.5mA
VCE = 5V, IC = 1mA
Min Typ Max Unit
45 – – V
45 – – V
6.5 – – V
– 1.0 50 nA
400 580 –
500 850 –
500 1100 –
500 1150 –
– – 0.2
– 0.08 0.3
– 0.6 0.7
V
V
V
Note 2 Pulse test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2.0%
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE4000 | (NTE4000 - NTE4015B) Integrated Circuits - CMOS |  NTE Electronics |
| NTE4001B | (NTE4000 - NTE4015B) Integrated Circuits - CMOS | NTE Electronics |
| NTE4002B | (NTE4000 - NTE4015B) Integrated Circuits - CMOS | NTE Electronics |
| NTE4006B | (NTE4000 - NTE4015B) Integrated Circuits - CMOS | NTE Electronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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