|
|
PDF NTE473 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE473 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor RF Power Driver | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
|
Hay una vista previa y un enlace de descarga de NTE473 (archivo pdf) en la parte inferior de esta página. Total 2 Páginas | ||
|
No Preview Available !
NTE473
Silicon NPN Transistor
RF Power Driver
Description:
The NTE473 is a silicon NPN transistor in a TO39 type package designed for amplifier and oscillator
applications in military and industrial equipment. Suitable for use as output, driver or predriver stages
in VHF equipment.
Features:
D Specified 175MHz, 28V Characteristics:
Output Power: 2.5W
Minimum Gain: 10dB
Efficiency: 50%
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65V
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
OFF Characteristics
Collector–Emitter Sustaining Voltage VCEO(sus) IC = 200mA, IB = 0, Note 1
40 – – V
Emitter–Base Breakdown Voltage V(BR)EBO IE = 0.1mA, IC = 0
4––V
Collector Cutoff Current
ICEO VCE = 30V, IB = 0
– – 0.1 mA
ICEX VCE = 30V, VBE(off) = 1.5V, TC = +200°C –
– 5.0 mA
VCE = 65V, VBE(off) = 1.5V
– – 1.0 mA
Emitter Cutoff Current
IEBO VBE = 4V, IC = 0
– – 0.1 mA
Note 1. Pulsed thru a 25mH inductor.
1 page | ||
| Páginas | Total 2 Páginas | |
| PDF Descargar | [ Datasheet NTE473.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE47 | Silicon NPN Transistor High Gain / Low Noise Amp | NTE |
| NTE470 | Silicon NPN Transistor RF Power Output | NTE |
| NTE471 | Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 100W @ 30MHz | NTE |
| NTE472 | Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 1.8W @ 175MHz | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares, |
| DataSheet.es | 2020 | Privacy Policy | Contacto | Buscar |