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PDF NTE475 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE475 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor RF Power Output | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE475
Silicon NPN Transistor
RF Power Output
Description:
The NTE475 is an NPN silicon annular RF power transistor, optimized for large–scale power–amplifier
and driver applications to 300MHz.
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18V
Collector–Base Voltage,VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5A
Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11.6W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66.3mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Collector–Emitter Sustaining Voltage
VCEO(sus) IC = 200mA, Note 1
Collector–Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO IC = 0.25mA, IE = 0
Emitter–Base Breakdown Voltage
Dynamic Characteristics
V(BR)EBO IE = 1mA, IC = 0
Current Gain – Bandwidth Product
Output Capacitance
fT IC = 100mA, VCE = 13.6V, f = 100MHz
Cob VCB = 13.6V, IE = 0, f = 100kHz
Functional Tests
Power Input
Common–Emitter Amplifier Power Gain
Pin RL = 50Ω, Pout = 12W, f = 175MHz
Gpe
Collector Efficiency
η
Min Typ Max Unit
18 – – V
36 – – V
4––V
– 350 – MHz
– 12.5 20.0 pF
– – 4.0 W
4.77 5.0 – dB
80 – – %
Note 1. Pulsed thru a 25mH inductor.
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE47 | Silicon NPN Transistor High Gain / Low Noise Amp | NTE |
| NTE470 | Silicon NPN Transistor RF Power Output | NTE |
| NTE471 | Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 100W @ 30MHz | NTE |
| NTE472 | Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 1.8W @ 175MHz | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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