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PDF NTE48 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE48 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor Darlington / General Purpose Amplifier / High Current | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE48
Silicon NPN Transistor
Darlington, General Purpose Amplifier,
High Current
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000mA
Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.0mW/°C
Total Device Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5W
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mW/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50°C/W
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125°C/W
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Collector–Emitter Breakdown
Voltage
Collector–Base Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Voltage
Emitter Cutoff Current
V(BR)CES IC = 1mA, IB = 0, Note 1
V(BR)CBO IC = 1.0µA, IE = 0
V(BR)EBO IE = 10µA, IC = 0
ICBO VCB = 40V, IE = 0
IEBO VBE = 10V, IC = 0
Min Typ Max Unit
50 – – V
600 – – V
12 – – V
– – 100 nA
– – 100 nA
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE4000 | (NTE4000 - NTE4015B) Integrated Circuits - CMOS |  NTE Electronics |
| NTE4001B | (NTE4000 - NTE4015B) Integrated Circuits - CMOS | NTE Electronics |
| NTE4002B | (NTE4000 - NTE4015B) Integrated Circuits - CMOS | NTE Electronics |
| NTE4006B | (NTE4000 - NTE4015B) Integrated Circuits - CMOS | NTE Electronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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