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PDF NTE519 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE519 | |
| Descripción | Silicon Rectifier Diode Ultra Fast Switch | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE519
Silicon Rectifier Diode
Ultra Fast Switch
Absolute Maximum Ratings:
Repetitive Peak Reverse Voltage, VRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V
Reverse Voltage, VR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 75V
Surge Forward Current (tp = 1µs), IFSM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A
Repetitive Peak Forward Current, IFRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA
Forward Current, IF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mA
Average Forward Current (VR = 0), IFAV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mA
Power Dissipation (I = 4mm), PV
TL = +45°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 440mW
TL ≤ +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mW
Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +200°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Junction to Ambient (I = 4mm, TL = constant), RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350K/W
Electrical Characteristics: (TJ = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
Forward Voltage Drop
Reverse Current
VF
IR
Breakdown Voltage
Diode Capacitance
Rectification Efficiency
Reverse Recovery Time
V(BR)
CD
ηr
trr
Note 1.
tp
T
= 0.01, tp = 0.3ms
IF = 10mA
VR = 20V
VR = 20V, TJ = +150°C
VR = 75V
IR = 100µA, Note 1
VR = 0, f = 1MHz, VHF = 50mV
VHF = 2V, f = 100MHz
IF = IR = 10mA, iR = 1mA
IF = 10mA, VR = 6V, iR = 0.1 IR, RL = 100Ω
–
–
–
–
100
–
45
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
1V
25 nA
50 µA
5 µA
–V
4 pF
–%
8 ns
4 nS
1.000
(25.4)
Min
.200
(5.08)
Max
.022 (.509) Dia Max
.090 (2.28)
Dia Max
Color Band Denotes Cathode
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE51 | Silicon NPN Transistor High Voltage / High Speed Switch | NTE |
| NTE5105A | Zener Diode / 1 Watt 5% Tolerance | NTE |
| NTE5111A | Zener Diode | NTE |
| NTE5112A | Zener Diode | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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