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PDF NTE5332 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE5332 | |
| Descripción | Silicon Bridge Rectifier / 1A | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE5332 & NTE5334
Silicon Bridge Rectifier, 1A
Features:
D Glass Passivated Chip Junctions
D Surge Overload Rating: 50A (Peak)
D Ideal for Printed Circuit Board
D High Temperature Soldering Guaranteed: +285°C/10 seconds at 5 lbs., (2.3kg) tension
Maximum Ratings and Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified,
60Hz, Resistive or Inductive Load.)
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage, VRRM
NTE5332 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE5334 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000V
Maximum RMS, VRMS
NTE5332 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 420V
NTE5334 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V
Maximum DC Blocking Voltage, VDC
NTE5332 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE5334 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000V
Maximum Average Forward Output Rectified Current (TA = +40°C), IO(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A
Peak Forward Surge Current (Single Sine–Wave Superimposed on Rated Load), IFSM . . . . . . 50A
Rating for Fusing (t < 8.35ms), I2t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A2s
Maximum Instantaneous Forward Voltage Drop (Per element at 1A), VF . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2V
Maximum Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage Per Element, IR
TA = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10µA
TA = +125°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500µA
Typical Junction Capacitance Per Element (Note 1), CJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25pf
Typical thermal Resistance (Note 2), RΘJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +40°C/W
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C
Note 1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts.
Note 2. Thermal Resistance from Junction to Ambient mounted on P.C. Board with 0.5” x 0.5”
(13mm x 13mm) Copper Pads.
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE5330 | Diode ( Rectifier ) |  American Microsemiconductor |
| NTE5331 | Single Phase Bridge Rectifier 6 Amp | NTE |
| NTE5331 | Diode ( Rectifier ) | American Microsemiconductor |
| NTE5332 | Silicon Bridge Rectifier / 1A | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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