DataSheet26.com

NTE5568 PDF даташит

Спецификация NTE5568 изготовлена ​​​​«NTE» и имеет функцию, называемую «Silicon Controlled Rectifier (SCR) for Phase Control Applications».

Детали детали

Номер произв NTE5568
Описание Silicon Controlled Rectifier (SCR) for Phase Control Applications
Производители NTE
логотип NTE логотип 

3 Pages
scroll

No Preview Available !

NTE5568 Даташит, Описание, Даташиты
NTE5567, NTE5568, NTE5569, & NTE5571
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
for Phase Control Applications
Features:
D High Current Rating
D Excellent Dynamic Characteristics
D Superior Surge Capabilities
D Standard Package
Voltage Ratings and Electrical Characteristics: (TJ = +125°C unless otherwise specified)
Maximum Repetitive Peak Forward and Reverse Voltage (Note 1), VDRM, VRRM
NTE5567 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE5568 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V
Maximum Non–Repetitive Peak Voltage (Note 2), VRSM
NTE5567 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V
NTE5568 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V
NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1300V
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1700V
Maximum Peak Reverse and Off–State Current, IDRM, IRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15mA
Maximum Average On–State Current (180° Sinusoidal Conduction), IT(RMS)
NTE5567, NTE5568, NTE5569 (TC = +94°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A
NTE5571 (TC = +90°C) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A
Maximum RMS On–State Current, IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80A
Maximum Peak One–Cycle Non–Repetitive Surge Current (t = 10ms, Sinusoidal Half Wave), ITSM
(No Voltage Reapplied)
NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1430A
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200A
(100% VRRM Reapplied)
NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200A
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1010A
Maximum I2t for Fusing (t = 10ms, Sinusoidal Half Wave), I2t
(No Voltage Reapplied)
NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10.18KA2s
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.21KA2s
(100% VRRM Reapplied)
NTE5567, NTE5568, NTE5569
........................................
7.20KA2s
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.10KA2s









No Preview Available !

NTE5568 Даташит, Описание, Даташиты
Voltage Ratings and Electrical Characteristics (Cont’d): (TJ = +125°C unless otherwise specified)
Maximum I2t for Fusing (t = 0.1 to 10ms, No Voltage Reapplied), I2t
NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101.8KA2s
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72.1KA2s
Low Level Value of Threshold Voltage (16.7% x π x IT(AV) < I < π x IT(AV)), VT(TO)1
NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.94V
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.02V
High Level Value of Threshold Voltage (π x IT(AV) < I < 20 x π x IT(AV)), VT(TO)2
NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.08V
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.17V
Low Level Value of OnState Slope Resistance (16.7% x π x IT(AV) < I < π x IT(AV)), rt1
NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.08m
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.78m
High Level Value of OnState Slope Resistance (π x IT(AV) < I < 20 x π x IT(AV)), VT(TO)2
NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.34m
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.97m
Maximum OnState Voltage (Ipk = 157A, TJ = +25°C), VTM
NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.60V
NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.78V
Maximum Holding Current (TJ = +25°C, Anode Supply 22V, Resistive Load, Initial IT = 2A), IH . 200mA
Latching Current (Anode Supply 6V, Resistive Load), IL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400mA
Maximum Rate of Rise of TurnedOn Current, di/dt
(VDM = Rated VDRM, Gate Pulse = 20V, 15, tp = 6µs, tr = 0.1µs ax., ITM = (2x Rated di/dt) A)
NTE5567, NTE5568 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200A/µs
NTE5569, NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100A/µs
Typical Delay Time, td . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.9µs
(TC = +25°C, VDM = Rated VDRM, DC Resistive Circuit, Gate Pulse = 10V, 15Source, tp = 20µs)
Typical TurnOff Time, tq . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110µs
(TC = +125°C, ITM = 50A, Reapplied dv/dt = 20Vµs, dir/dt = 10A/µs, VR = 50V)
Maximum Critical Rate of Rise of OffState Voltage, dv/dt
(Linear to 100% rated VDRM) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V/µs
(Linear to 67% rated VDRM) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V/µs
Maximum Peak Gate Power (tp 5ms), PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W
Maximum Average Gate Power, PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5W
Maximum Peak Positive Gate Current, IGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5A
Maximum Peak Positive Gate Voltage, +VGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
Maximum Peak Negative Gate Voltage, VGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10V
DC Gate Current Required to Trigger (6V AnodetoCathode Applied), IGT . . . . . . . . . . . . . . 50mA
DC Gate Voltage Required to Trigger (6V AnodetoCathode Applied, TJ = +25°C), VGT . . . 2.5V
DC Gate Current Not to Trigger (Rated VDRM AnodetoCathode Applied), IGD . . . . . . . . . . 5.0mA
DC Gate Voltage Not to Trigger (Rated VDRM AnodetoCathode Applied), VGD . . . . . . . . . . 0.2V
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40° to +125°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40° to +125°C
Thermal Resistance
JunctiontoCase (DC Operation), RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.35K/W
CasetoHeatsink (Mounting Surface Smooth, Flat, and Greased), RthCS . . . . . . . 0.25K/W
Mounting Torque (NonLubricated Threads), T . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25 30 (2.8 3.4) lbfin (Nm)
Note 1. Units may be broken over nonrepetitively in the offstate direction without damage, if di/dt
does not exceed 20A/µs.
Note 2. For voltage pulses with tp 5ms.









No Preview Available !

NTE5568 Даташит, Описание, Даташиты
.250 (6.35)
Cathode
.136 (3.47) Dia
Gate
.067 (1.72) Dia
.120 (3.04)
.565
(14.37)
Max
.200 (5.08)
Max
.450
(11.43)
Max
.667
(16.95)
Dia Max
.675 (17.15)
Across Flats
1.218
(30.94)
.875 Max
(22.22)
Max
Anode
1/428 UNF2A










Скачать PDF:

[ NTE5568.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
NTE5562Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)NTE
NTE
NTE5564Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)NTE
NTE
NTE5566Silicon Controlled Rectifiers (SCRs)NTE
NTE
NTE5567Silicon Controlled Rectifier (SCR) for Phase Control ApplicationsNTE
NTE

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск