DataSheet26.com

NTE5864 PDF даташит

Спецификация NTE5864 изготовлена ​​​​«NTE Electronics» и имеет функцию, называемую «Silicon Power Rectifier Diode / 25 Amp».

Детали детали

Номер произв NTE5864
Описание Silicon Power Rectifier Diode / 25 Amp
Производители NTE Electronics
логотип NTE Electronics логотип 

1 Pages
scroll

No Preview Available !

NTE5864 Даташит, Описание, Даташиты
NTE5864 thru NTE5889
Silicon Power Rectifier Diode, 25 Amp
Description:
The NTE5864 through NTE5889 are silicon power rectifier diodes in a DO4 type package designed
with very low leakage current as well as good surge handling capability. These devices are ideal for
use in applications where economy, power capability, and reliability are demanding considerations.
Ratings and Characteristics:
Peak Reverse Voltage, PRV
NTE5864, NTE5865* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V
NTE5884, NTE5885* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE5888, NTE5889* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V
Maximum Forward Current (Single Phase, Half Wave, TC = +121°C), IF(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . 30A
Maximum Forward Surge Current (Single Cycle Amps), IFSM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300A
Maximum Forward Voltage Drop (IO = 30A, TC = +25°C), VF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2V
Maximum Reverse Current (FCA at +150°C), IR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1mA
Fusing Current (Less than 8ms), I2t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350A2s
Reverse Power for Bulk Avalanche . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.16 Joules
Operating Temperature Range, Topr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +175°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +190°C
Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.0°C/W
Note 1. Standard polarity is cathode to case, (*) indicated anode to case.
.437
(11.1)
Max
.250 (6.35) Max
.060 (1.52)
Dia Min
.175 (4.45) Max
10–32 NF–2A
.424 (10.8)
Dia Max
.405
(10.3)
Max
1.250 (31.75) Max
.453
(11.5)
Max










Скачать PDF:

[ NTE5864.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
NTE586Silicon Rectifier Diode Schottky Barrier / Fast SwitchingNTE Electronics
NTE Electronics
NTE5860(NTE5850 - NTE5869) Silicon Power Rectifier DiodeNTE Electronics
NTE Electronics
NTE5861(NTE5850 - NTE5869) Silicon Power Rectifier DiodeNTE Electronics
NTE Electronics
NTE5862(NTE5850 - NTE5869) Silicon Power Rectifier DiodeNTE Electronics
NTE Electronics

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск