DataSheet26.com

NTE5963 PDF даташит

Спецификация NTE5963 изготовлена ​​​​«NTE Electronics» и имеет функцию, называемую «Silicon Power Rectifier Diode / 25 Amp».

Детали детали

Номер произв NTE5963
Описание Silicon Power Rectifier Diode / 25 Amp
Производители NTE Electronics
логотип NTE Electronics логотип 

2 Pages
scroll

No Preview Available !

NTE5963 Даташит, Описание, Даташиты
NTE5962 & NTE5963
NTE5966 & NTE5967
Silicon Power Rectifier Diode, 25 Amp
Features:
D 25 Amp @ TC = +100°C
D 300 Amp Surge Capability
D Rugged Construction
D Available in Standard (NTE5962, NTE5966) and Reverse (NTE5963, NTE5967) Polarity
Absolute Maximum Ratings:
Peak Repetitive Reverse Voltage, VRRM
NTE5962, NTE5963* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE5966, NTE5967* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
Working Peak Reverse Voltage, VRWM
NTE5962, NTE5963* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE5966, NTE5967* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
DC Blocking Voltage, VB
NTE5962, NTE5963* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V
NTE5966, NTE5967* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V
RMS Reverse Voltage, VR(RMS)
NTE5962, NTE5963* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 280V
NTE5966, NTE5967* . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 560V
Average Rectified Forward Currnt (Single phase, resistive load, 60Hz, TC = +150°C), IO . . . . . 25A
Non–Repetitive Peak Surge Current (Surge applied at rated load conditions), IFSM . . . . . . . . . 300A
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +175°C
Maximum Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2°C/W
Note 1. Standard polarity is cathode to case, (*) indicated anode to case.
Electrical Characteristics:
Parameter
Symbol
Test Conditions
Instantaneous Forward Voltage vF iF = 57A, TJ = +25°C
Reverse Current
iR VRRM = Rated Voltage, TC = +25°C
Min Typ Max Unit
– – 1.7 V
– – 1.0 mA









No Preview Available !

NTE5963 Даташит, Описание, Даташиты
Seating Plane
.505 (12.85) Dia Max
.250
(6.35)
Max
.190 (4.82) Max
.140 (3.55) Dia Max
.053 (1.34) Dia Max
.600
(15.24)
Max
.640
(16.25)
Dia
Max










Скачать PDF:

[ NTE5963.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
NTE596Silicon Diode / Dual / Common Anode / High SpeedNTE Electronics
NTE Electronics
NTE596Diode ( Rectifier )American Microsemiconductor
American Microsemiconductor
NTE5962Silicon Power Rectifier Diode / 25 AmpNTE Electronics
NTE Electronics
NTE5963Silicon Power Rectifier Diode / 25 AmpNTE Electronics
NTE Electronics

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск