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PDF NTE63 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE63 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor High Gain / Low Noise Amp | |
| Fabricantes | NTE Electronics | |
| Logotipo |  |
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NTE63
Silicon NPN Transistor
High Gain, Low Noise Amp
Description:
The NTE63 is a silicon NPN high frequency transistor designed primarily for use in high–gain, low
noise tuned and wiseband small–signal amplifiers and applications requiring fast switching times.
Features:
D High Current Gain–Bandwidth Product: fT = 5GHz Typ @ f = 1GHz
D High Power Gain: Gpe = 12.5dB Min @ f = 1GHz
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12V
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2V
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40mA
Total Device Dissipation (TL = +50°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400mW
Derate Above 50°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.0mW/°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C
Thermal Resistance, Junction–to–Lead, RthJL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250°C/W
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Collector–Base Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
V(BR)CEO IC = 1mA, IB = 0
V(BR)CBO IC = 0.1mA, IE = 0
V(BR)EBO IE = 0.1mA, IC = 0
ICBO VCB = 15V, IE = 0
Min Typ Max Unit
12 – – V
20 – – V
2––V
– – 50 nA
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE60 | Silicon Complementary Transistors High Power Audio / Disk Head Positioner for Linear Applications | NTE Electronics |
| NTE600 | Silicon Varistor Temperature Compensating Diode |  NTE |
| NTE600 | Diode ( Rectifier ) |  American Microsemiconductor |
| NTE6005 | Silicon Power Rectifier Diode / 40 Amp | NTE Electronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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