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PDF NTE75 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE75 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor High Power Amplifier / Switch (Stud Mount) | |
| Fabricantes | NTE Electronics | |
| Logotipo |  |
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NTE75
Silicon NPN Transistor
High Power Amplifier, Switch
(Stud Mount)
Description:
The NTE75 is a silicon NPN transistor in a TO111 type stud mount package that provides a unique
combination of low saturation voltage, high gain, and fast switching. This device is ideally suited for
power supply, pulse amplifier, and similar high efficiency power switching applications.
Features:
D Fast Switching: tr, tf = 300ns (Max)
D Low Saturation Voltage: 250mV max @ 1A
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110V
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8V
DC Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A
Power Dissipation, PD
TA = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W
TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30W
Operating Temperature Range, Topr . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.33°C/W
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector–Base Breakdown Voltage
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Emitter–Base Breakdown Voltage
Collector–Emitter Cutoff Current
Collector–Base Cutoff Current
Emitter–Base Cutoff Current
V(BR)CBO IC = 10µA
V(BR)CEO IC = 100mA, Note 1
V(BR)EBO IE = 10µA
ICEO VCE = 60V
ICEX VCE = 110V, VEB = 500mV
ICBO VCB = 80V
IEBO VEB = 6V
Note 1. Pulse Width = 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.
Min Typ Max Unit
110 – – V
80 – – V
8––V
– – 100 µA
– – 10 µA
– – 0.4 µA
– – 0.4 µA
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE70 | Silicon NPN Transistor High Voltage Power Amp / Switch | NTE Electronics |
| NTE700 | Integrated Circuit TV Chroma System | NTE Electronics |
| NTE7000 | Integrated Circuit 5W Audio Amplifier with Muting | NTE Electronics |
| NTE7001 | Integrated Circuit Horizontal Combination Circuit for Color TV & Computer Monitors | NTE Electronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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