H556 PDF даташит
Спецификация H556 изготовлена «Shantou Huashan Electronic» и имеет функцию, называемую «PNP Silicon Transistor». |
|
Детали детали
Номер произв | H556 |
Описание | PNP Silicon Transistor |
Производители | Shantou Huashan Electronic |
логотип |
1 Pages
No Preview Available ! |
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.
PNP SILICON TRANSISTOR
H556
SWITCHING AND AMPLIFIER
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25
TO-92
Tstg Storage Temperature
-55~150
Tj Junction Temperature
150
PC Collector Dissipation
VCBO Collector-Base Voltage
VCEO Collector-Emitter Voltage
500mW
-80V
-65V
1 Collector C
2 Base B
3 Emitter E
VEBO Emitter-Base Voltage
-5V
IC Collector Current
-100mA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS Ta=25
Symbol
ICBO
HFE
VCE(sat1)
VCE(sat2)
VBE(sat1)
VBE(sat2)
VBE(ON)
fT
NF
Characteristics
Min Typ Max Unit
Test Conditions
Collector Cut-off Current
-15 nA
VCB=-30V, IE=0
DC Current Gain
110 800
VCE=-5V, IC=-2mA
Collector- Emitter Saturation Voltage
-90 -300 mV IC=-10mA, IB=-0.5mA
-250 -650 mV IC=-100mA, IB=-5mA
Base-Emitter Saturation Voltage
-0.7
V IC=-10mA, IB=-0.5mA
-0.9
V IC=-100mA, IB=-5mA
Base-Emitter On Voltage
-600 -660 -750 mV VCE=-5V, IC=-2mA
Current Gain-Bandwidth Product
150 MHz VCE=-5V, IC=-10mA
f=100MHz
Noise Figure
2 10 dB VCE=-5V, IC=-200 A
f=1KHz Rg=2K
hFE Classification
A
110 220
B
200 450
C
420 800
Скачать PDF:
[ H556.PDF Даташит ]
Номер в каталоге | Описание | Производители |
H5551 | NPN SILICON TRANSISTOR | SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES |
H556 | PNP Silicon Transistor | Shantou Huashan Electronic |
H557 | NPN SILICON TRANSISTOR | SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES |
H558 | NPN SILICON TRANSISTOR | SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |