9018 PDF даташит
Спецификация 9018 изготовлена «Shanghai SIM-BCD Semiconductor» и имеет функцию, называемую «Silicon NPN Epitaxial Transistor». |
|
Детали детали
Номер произв | 9018 |
Описание | Silicon NPN Epitaxial Transistor |
Производители | Shanghai SIM-BCD Semiconductor |
логотип |
1 Pages
No Preview Available ! |
9018
9018 Silicon NPN Epitaxial Transistor
Description :The 9018 is designed for UHF general amplifier applications
Features: ●Excellent hFE Linearity
●Excellent fT characteristic
Chip Appearance
Chip Size
Chip Thickness
Bonding Pad Size
Front Metal
Backside Metal
Scribe line width
Wafer Size
Base
Emitter
360um×360um
210±20um
φ65um
φ65um
AlSiCu
Au (As)
50um
6 inch
Electrical Characteristics( Ta=25℃)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
DC Current Gain
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
hFE
VCB=20V, IE=0
VEB=3V, IC=0
IC=0.1mA
IC=1mA
IE=0.1mA
VCE=5V, IC=1mA
Min Max
0.1
0.1
30
20
5
60 200
Collector Saturation Voltage
VCE(sat) IC=10mA,IB=1mA
0.3
Unit
uA
uA
V
V
V
V
May.2004
Version :0.0
Page 1 of 1
Скачать PDF:
[ 9018.PDF Даташит ]
Номер в каталоге | Описание | Производители |
9011M | Silicon NPN transistor | FOSHAN BLUE ROCKET |
9012 | (9012 - 9017) NAND GATES/HEX INVERTERS | ETC |
9012 | PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR | Unisonic Technologies |
9012H | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | Unisonic Technologies |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |