DataSheet26.com

9018 PDF даташит

Спецификация 9018 изготовлена ​​​​«Shanghai SIM-BCD Semiconductor» и имеет функцию, называемую «Silicon NPN Epitaxial Transistor».

Детали детали

Номер произв 9018
Описание Silicon NPN Epitaxial Transistor
Производители Shanghai SIM-BCD Semiconductor
логотип Shanghai SIM-BCD Semiconductor логотип 

1 Pages
scroll

No Preview Available !

9018 Даташит, Описание, Даташиты
9018
9018 Silicon NPN Epitaxial Transistor
Description :The 9018 is designed for UHF general amplifier applications
Features: Excellent hFE Linearity
Excellent fT characteristic
Chip Appearance
Chip Size
Chip Thickness
Bonding Pad Size
Front Metal
Backside Metal
Scribe line width
Wafer Size
Base
Emitter
360um×360um
210±20um
φ65um
φ65um
AlSiCu
Au (As)
50um
6 inch
Electrical Characteristics( Ta=25)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
Collector-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
DC Current Gain
ICBO
IEBO
BVCBO
BVCEO
BVEBO
hFE
VCB=20V, IE=0
VEB=3V, IC=0
IC=0.1mA
IC=1mA
IE=0.1mA
VCE=5V, IC=1mA
Min Max
0.1
0.1
30
20
5
60 200
Collector Saturation Voltage
VCE(sat) IC=10mA,IB=1mA
0.3
Unit
uA
uA
V
V
V
V
May.2004
Version :0.0
Page 1 of 1










Скачать PDF:

[ 9018.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
9011MSilicon NPN transistorFOSHAN BLUE ROCKET
FOSHAN BLUE ROCKET
9012(9012 - 9017) NAND GATES/HEX INVERTERSETC
ETC
9012PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTORUnisonic Technologies
Unisonic Technologies
9012HPNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORUnisonic Technologies
Unisonic Technologies

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск