SD1490-1 PDF даташит
Спецификация SD1490-1 изготовлена «Advanced Semiconductor» и имеет функцию, называемую «NPN Silicon RF Power Transistor». |
|
Детали детали
Номер произв | SD1490-1 |
Описание | NPN Silicon RF Power Transistor |
Производители | Advanced Semiconductor |
логотип |
1 Pages
No Preview Available ! |
SD1490-1
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The ASI SD1490-1 is a Common
Emitter Device Designed for Class A
and AB Amplifier Applications in
Television Band IV & V Transmitters.
omFEATURES INCLUDE:
• Gold Metalization
.c• Emitter Ballasting
• Internal Matching
t4UMAXIMUM RATINGS
IC 8.0 A
eVCB
ePDISS
hTJ
STSTG
taθJC
45 V
155 W @ TC = 25 OC
-55 OC to +200 OC
-55 OC to +200 OC
1.15 OC/W
PACKAGE STYLE .450 BAL FLG.(A)
1 = Collector 2 = Base
3 = Emitter
.DaCHARACTERISTICS TC = 25 OC
SYMBOL
TEST CONDITIONS (PER SIDE)
BVCEO
IC = 200 mA
wBVCBO
IC = 50 mA
wBVEBO
IE = 10 mA
mhFE VCE = 5.0 V
IC = 3.0 A
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
30
45
3.0
10 100
UNITS
V
V
V
---
w .coCOB
VCB = 28 V
f = 1.0 MHz
72
pF
t4UGP
VCE = 26.5 V
IC = 2 X 1.6 A
f = 860 MHz
8.0
9.0
dB
eeGp
VCE = 28 V
Pout = 50 W
IC = 2 X 250 mA f = 860 MHz
7.0
8.0
dB
taShIMD3
VCE = 26.5 V Pout = 25 W
f = 860 MHz
VISION = -8.0dB SOUND = -10 dB CHROMA = -16dB
-45 dBc
w.DaA D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
ww7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004
REV. A
1/1
Specifications are subject to change without notice.
Скачать PDF:
[ SD1490-1.PDF Даташит ]
Номер в каталоге | Описание | Производители |
SD1490-1 | NPN Silicon RF Power Transistor | Advanced Semiconductor |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |