DataSheet26.com

NSB9435T1 PDF даташит

Спецификация NSB9435T1 изготовлена ​​​​«ON Semiconductor» и имеет функцию, называемую «High Current Bias Resistor Transistor».

Детали детали

Номер произв NSB9435T1
Описание High Current Bias Resistor Transistor
Производители ON Semiconductor
логотип ON Semiconductor логотип 

5 Pages
scroll

No Preview Available !

NSB9435T1 Даташит, Описание, Даташиты
NSB9435T1
Preferred Device
High Current Bias Resistor
Transistor
PNP Silicon
Features
Collector −Emitter Sustaining Voltage −
VCEO(sus) = 30 Vdc (Min) @ IC = 10 mAdc
High DC Current Gain −
hFE = 125 (Min) @ IC = 0.8 Adc
= 90 (Min) @ IC = 3.0 Adc
Low Collector −Emitter Saturation Voltage −
VCE(sat) = 0.275 Vdc (Max) @ IC = 1.2 Adc
= 0.55 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc
SOT−223 Surface Mount Packaging
ESD Rating − Human Body Model: Class 1B
− Machine Model: Class B
Pb−Free Package is Available
MAXIMUM RATINGS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Rating
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏCollector−Emitter Voltage
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏCollector−Base Voltage
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏEmitter−Base Voltage
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏBase Current − Continuous
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏCollector Current − Continuous
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ− Peak
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏTotal Power Dissipation @ TC = 25_C
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏDerate above 25_C
Total PD @ TA = 25_C mounted on 1sq.
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ(645 sq. mm) Collector pad on FR−4 bd
material
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏTotal PD @ TA = 25_C mounted on 0.012
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏsq. (7.6 sq. mm) Collector pad on FR−4 bd
material
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏOperating and Storage Junction
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏTemperature Range
Symbol
VCEO
VCB
VEB
IB
IC
PD
TJ, Tstg
Value Unit
www.DataSheet4U.com
30 Vdc
45 Vdc
± 6.0 Vdc
1.0 Adc
3.0 Adc
5.0
3.0 W
24 mW/_C
1.56 W
0.72 W
– 55 to
+ 150
_C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2006
April, 2006 − Rev. 5
1
http://onsemi.com
POWER BJT
IC = 3.0 AMPERES
BVCEO = 30 VOLTS
VCE(sat) = 0.275 VOLTS
COLLECTOR 2,4
BASE
1
EMITTER 3
SOT−223
CASE 318E
STYLE 1
MARKING DIAGRAM
AYW
9435R G
G
1
A = Assembly Location
Y = Year
W = Work Week
9435R = Device Code
G = Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping
NSB9435T1
SOT−223 1000/Tape & Reel
NSB9435T1G SOT−223 1000/Tape & Reel
(Pb−Free)
†For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D.
Preferred devices are recommended choices for future use
and best overall value.
Publication Order Number:
NSB9435T1/D









No Preview Available !

NSB9435T1 Даташит, Описание, Даташиты
NSB9435T1
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Thermal Resistance
Junction−to−Case
Junction−to−Ambient on 1sq.(645 sq. mm) Collector pad on FR−4 board material
Junction−to−Ambient on 0.012sq. (7.6 sq. mm) Collector pad on FR−4 board material
Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes, 1/8from case for 5 s
Symbol
RqJC
RqJA
RqJA
TL
Value
42
80
174
260
Unit
_C/W
_C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
OFF CHARACTERISTICS
Characteristics
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏCollector−Emitter Sustaining Voltage
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ(IC = 10 mAdc, IB = 0 Adc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏEmitter−Base Voltage
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ(IE = 50 mAdc, IC = 0 Adc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏCollector Cutoff Current
(VCE = 25 Vdc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ(VCE = 25 Vdc, TJ = 125°C)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏEmitter Cutoff Current
(VBE = 5.0 Vdc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏON CHARACTERISTICS (Note 1)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏCollector−Emitter Saturation Voltage
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ(IC = 0.8 Adc, IB = 20 mAdc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ(IC = 1.2 Adc, IB = 20 mAdc)
(IC = 3.0 Adc, IB = 0.3 Adc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏBase−Emitter Saturation Voltage
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ(IC = 3.0 Adc, IB = 0.3 Adc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏBase−Emitter On Voltage
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ(IC = 1.2 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏDC Current Gain
(IC = 0.8 Adc, VCE = 1.0 Vdc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ(IC = 1.2 Adc, VCE = 1.0 Vdc)
(IC = 3.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏResistor
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏDYNAMIC CHARACTERISTICS
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏOutput Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0 Adc, f = 1.0 MHz)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏInput Capacitance
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ(VEB = 8.0 Vdc)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏCurrent−Gain − Bandwidth Product (Note 2)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ(IC = 500 mA, VCE = 10 V, Ftest = 1.0 MHz)
ÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏÏ1. Pulse Test: Pulse Width 300 ms, Duty Cycle 2%.
Symbol Min Typ Max Unit
VCEO(sus)
30
Vdc
VEBO
6.0 −
Vdc
ICER
mAdc
− − 20
− − 200
IEBO
mAdc
− − 700
VCE(sat)
VBE(sat)
VBE(on)
hFE
R1
Vdc
− 0.155 0.210
− − 0.275
− − 0.550
Vdc
− − 1.25
Vdc
− − 1.10
125 220
110 −
90 −
7.5 10 12.5 kW
Cob pF
− 100 150
Cib pF
− 135 −
fT MHz
− 110 −
2. fT = |hFE| S ftest
http://onsemi.com
2









No Preview Available !

NSB9435T1 Даташит, Описание, Даташиты
NSB9435T1
0.3 1000
0.25
0.2
IC = 3.0 A
0.15
0.1
0.05
0
0.001
0.01
1.2 A
0.8 A
0.5 A
0.25 A
0.1
IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 1. Collector Saturation Region
TA = 150°C
25°C
100
−55°C
VCE = 1.0 V
10
1 0.1
1
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 2. DC Current Gain
10
1000
10
TA = 150°C
1
VBE(sat)
25°C
100
−55°C
0.1 VCE(sat)
VCE = 4.0 V
10
0.1
1
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 3. DC Current Gain
0.01
10 1.0E−01
1.0E+00
IC/IB = 10
1.0E+01
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 4. “ON” Voltages
1.0E+00
VBE(sat)
1.2
1
VCE(sat)
0.8
1.0E−01
0.6
0.4
1.0E−02
1.0E−01
IC/IB = 50
1.0E+00
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 5. “ON” Voltages
1.0E+01
0.2
0
0.1
−55°C
25°C
TA = 155°C
1
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 6. VBE(on) Voltage
10
http://onsemi.com
3










Скачать PDF:

[ NSB9435T1.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
NSB9435T1High Current Bias Resistor TransistorON Semiconductor
ON Semiconductor
NSB9435T1GHigh Current Bias Resistor TransistorON Semiconductor
ON Semiconductor

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск