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PDF NTE2661 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2661 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor Horizontal Deflection Output | |
| Fabricantes | NTE Electronics | |
| Logotipo |  |
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NTE2661
Silicon NPN Transistor
Horizontal Deflection Output for HDTV
Features:
D High Speed: tf = 0.15µs Typ
D High Breakdown Voltage: VCBO = 1700V
D Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 3V Max
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Collector−to−Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1700V
Collector−to−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
Emitter−to−Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Collectorwww.DataSheet4U.com Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40A
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A
Collector Power Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200W
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55° to +150°C
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
Collector Cutoff Current
ICBO VCB = 1700V, IE = 0
− − 1.0 mA
Emitter Cutoff Current
IEBO VEB = 5V, IC = 0
− − 10 µA
Collector−Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO IC = 10mA, IB = 0
600 − − V
DC Current Gain
hFE VCE = 5V, IC = 2A
10 − 30 −
VCE = 5V, IC = 11A
4.5 − 8.5
Collector−Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC = 11A, IB = 2.75A
−−3V
Base−Emitter Saturation Voltage
VBE(sat) IC = 11A, IB = 2.75A
− 1.0 1.3 V
Transition Frequency
fT VCE = 10V, IE = 0.1A
− 1.7 − MHz
Collector Output capacitance
Cob VCB = 10V, IE = 0, f = 1MHz − 290 − pF
Storage Time
Fall Time
tstg IC(peak) = 10A, IB1 = 1.8A, − 2.5 4.0 µs
tf fH = 64kHz
− 0.15 0.3 µs
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE266 | Silicon NPN Transistor Darlington Power Amplifier |  NTE |
| NTE2661 | Silicon NPN Transistor Horizontal Deflection Output | NTE Electronics |
| NTE2662 | Silicon NPN Transistor High Frequency | NTE Electronics |
| NTE2665 | Silicon NPN Transistor Horizontal Deflection Output | NTE Electronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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