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PDF NTE2996 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2996 | |
| Descripción | Enhancement Mode High Speed Switch | |
| Fabricantes | NTE Electronics | |
| Logotipo |  |
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NTE2996
MOSFET
N−Channel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Features:
D Ultra Low On−Resistance
D Dynamic dv/dt Rating
D +175°C Operating Temperature
D Fast Switching
D Fully Avalanche Rated
Absolute Maximum Ratings:
Drainwww.DataSheet4U.com Current, ID
Continuous (VGS = 10V)
TC = +25°C (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 84A
TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59A
Pulsed (Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 330A
Total
PDowerearteDiAssbiopvaetio2n5°(CTC.
=
..
+25°C),
.......
.P.D.
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. . 200W
1.4W/°C
Gate−Source Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±20V
Single Pulsed Avalanche Energy (IAS = 50A, L = 260µH, Note 3), EAS . . . . . . . . . . . . . . . . . 320mJ
Avalanche Current (Note 2), IAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A
Repetitive Avalanche Energy (Note 2), EAR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17mJ
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 4), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.0V/ns
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55° to +175°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55° to +175°C
Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1.6mm from case, 10sec), TL . . . . . . . . . . +300°C
Maximum Thermal Resistance:
JJuunnccttiioonn−−ttoo−−CAmasbeie, nRtt,hRJCthJ.A.
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0.75°C/W
. . 62°C/W
Typical Thermal Resistance, Case−to−Sink (Flat, greased surface), RthCS . . . . . . . . . . . . 0.50°C/W
Note 1. Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature. Package
limitation current is 75A.
Note 2. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature.
Note 3. This is a calculated value limited to TJ = +175°C.
Note 4. ISD ≤ 50A, di/dt ≤ 230A/µs, VDD ≤ V(BR)DSS, TJ ≤ +175°C.
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE299 | Silicon NPN Transistor RF Power Amp / Driver |  NTE |
| NTE2996 | Enhancement Mode High Speed Switch | NTE Electronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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