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PDF NTE362 Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza NTE362
Descripción Silicon NPN Transistor RF Power
Fabricantes NTE Electronics 
Logotipo NTE Electronics Logotipo



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NTE362
Silicon NPN Transistor
RF Power
Description:
The NTE362 is designed for 7.0 to 15 volts, UHF large signal amplifier applications required in industrial
and commercial FM equipment operating in the 400 to 960MHz range.
Features:
D Specified 12.5 Volt, 470MHz Characteristics Power Output = 2.0 Watts
D Minimum Gain = 9.0dB
D Efficiency = 60% Minimum
D RF ballasting provides protection against device damage due to load mismatch
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)
CollectorEmitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16V
CollectorBase Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V
EmitterBase Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V
Collector CurrentContinuous, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.4V
Total Device Dissipation (TC = +25°C, Note 1), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.0W
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65° to +200°C
Stud Torque (Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.5 inlbs
Note 1. These devices are designed for RF operation. The total device dissipation rating applies
only when the devices are operated as RF amplifiers.
Note 2. For repeated assembly use 5 inlbs.
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
CollectorEmitter Breakdown Voltage V(BR)CEO IC = 50mA, IB = 0
V(BR)CES IC = 50mA, VBE = 0
EmitterBase Breakdown Voltage
V(BR)EBO IE = 1.0mA, IC = 0
Collector Cutoff Current
ICES
ICBO
VCE = 15V, VBE = 0, TC = +55°C
VCB = 15V, IE = 0
Min Typ Max Unit
16 − − V
36 − − V
4.0 − − V
0.2 10 mA
− − 1.0

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
NTE36Silicon Complementary Transistors AF Power Amplifier / High Current SwitchNTE
NTE
NTE361Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 2W @ 512MHzNTE
NTE
NTE362Silicon NPN Transistor RF PowerNTE Electronics
NTE Electronics
NTE363Silicon NPN Transistor RF Power Amp / PO = 4WNTE
NTE

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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