DataSheet26.com

SEMIX101GD12T4S PDF даташит

Спецификация SEMIX101GD12T4S изготовлена ​​​​«Semikron International» и имеет функцию, называемую «IGBT Modules».

Детали детали

Номер произв SEMIX101GD12T4S
Описание IGBT Modules
Производители Semikron International
логотип Semikron International логотип 

5 Pages
scroll

No Preview Available !

SEMIX101GD12T4S Даташит, Описание, Даташиты
SEMiX 101GD12T4s
SEMiX®13s
Trench IGBT Modules
www.DataSheet4U.com
SEMiX 101GD12T4s
Target Data
Features
   
        
         
  
     !
Typical Applications
 "     #
 $%
    & # 
Remarks
       # 
'()* +,
 %#   !    #
 -').*
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
IGBT

1
-  () *
-  '2) *
156
1567+1 
8
 
  3.. : 8 ; (. :
 < '(.. 
Inverse Diode
1> -  '2) *
1>56
Module
156 
-
 
 
1>567+1> 
"/ '  ,
  ()*/       #
Values
Units
  () *
  4. *
-  '). *
'(..
'3.
'()
7..
9 (.
'.

"
"
"

=
  () *
  4. *
'(.
?.
7..
3..
@ A. ,,, B '2)
@ A. ,,, B '()
A...
"
"
"
"
*
*

Characteristics
  ()*/       #
Symbol Conditions
min. typ. max. Units
IGBT
8
8  / 1  A "
) )/4 3/) 
1
.

 



8  . /   
8  ') 
1   '.. "/ 8  ') 
-  () *
-  () *
-  '). *
-  ()*
-  ').*
-  ()* ,
-  ').* ,
  ()/ 8  . 
 ' 6D
"
./4 ./? 
./2 ./4 
'. '' C
') '3 C
'/4 ( 
(/( (/A 
3/( >
./A >
./7) >
E8 8  @4 ,,, B')
)2. 
58 
# 


# 

-  () *
58  C
58  C
  
1  "
-  '). *
2/) F
'' G
 '' G
5-@
  18H
./(2 IJ&
GD
1
16-07-2007 SCH
© by SEMIKRON









No Preview Available !

SEMIX101GD12T4S Даташит, Описание, Даташиты
SEMiX 101GD12T4s
SEMiX®13s
Trench IGBT Modules
www.DataSheet4U.com
SEMiX 101GD12T4s
Target Data
Features
   
        
         
  
     !
Typical Applications
 "     #
 $%
    & # 
Remarks
       # 
'()* +,
 %#   !    #
 -').*
Characteristics
Symbol Conditions
Inverse Diode
>  
1>   '.. ": 8  . 
>.
>
1556
E

5-@K
Module
1>   '.. "
8  @') :   3.. 
  ##
-  () * ,
-  '). * ,
-  () *
-  '). *
-  () *
-  '). *
-  '). *
L
5MBM
5@ 
6
6

 ,/   @
  # 
    N 6)
    63
  () *
  '() *
Temperature sensor
5'..
'..* 5()) NC
H'..J'()
55'.. +QH'..J'()'J@'J'..R:
QIR
min.
typ.
(/(
(/'
'/7
./?
?
'(
2/)
(.
./2
'
./.A
7
(/)
./A?79)P
7)).9(P
max.
(/)
(/A)
'/)
'/'
'.
'7/)
./A4
)
)
7).
Units




C
C
"
=
G
IJ&

C
C
IJ&
O
O

NC
I
This is an electrostatic discharge sensitive device (ESDS), international standard
IEC 60747-1, Chapter IX.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no
characteristics. No warranty or guarantee expressed or implied is made regarding
delivery, performance or suitability.
GD
2
16-07-2007 SCH
© by SEMIKRON









No Preview Available !

SEMIX101GD12T4S Даташит, Описание, Даташиты
SEMiX 101GD12T4s
www.DataSheet4U.com
Fig. 1 Typ. output characteristic, inclusive RCC'+ EE'
Fig. 2 Rated current vs. temperature IC = f (TC)
Fig. 5 Typ. transfer characteristic
3
Fig. 6 Typ. gate charge characteristic
16-07-2007 SCH
© by SEMIKRON










Скачать PDF:

[ SEMIX101GD12T4S.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
SEMIX101GD12T4SIGBT ModulesSemikron International
Semikron International

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск