SEMIX101GD12T4S PDF даташит
Спецификация SEMIX101GD12T4S изготовлена «Semikron International» и имеет функцию, называемую «IGBT Modules». |
|
Детали детали
Номер произв | SEMIX101GD12T4S |
Описание | IGBT Modules |
Производители | Semikron International |
логотип |
5 Pages
No Preview Available ! |
SEMiX 101GD12T4s
SEMiX®13s
Trench IGBT Modules
www.DataSheet4U.com
SEMiX 101GD12T4s
Target Data
Features
!
Typical Applications
"
#
$%
& #
Remarks
#
'()* +,
%# ! #
-').*
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
IGBT
1
- () *
- '2) *
156
1567+1
8
3.. : 8 ; (. :
< '(..
Inverse Diode
1> - '2) *
1>56
Module
156
-
1>567+1>
"/ '
,
()*/
#
Values
Units
() *
4. *
- '). *
'(..
'3.
'()
7..
9 (.
'.
"
"
"
=
() *
4. *
'(.
?.
7..
3..
@ A. ,,, B '2)
@ A. ,,, B '()
A...
"
"
"
"
*
*
Characteristics
()*/
#
Symbol Conditions
min. typ. max. Units
IGBT
8
8 / 1 A "
) )/4 3/)
1
.
8 . /
8 ')
1
'.. "/ 8 ')
- () *
- () *
- '). *
- ()*
- ').*
- ()* ,
- ').* ,
()/ 8 .
' 6D
"
./4 ./?
./2 ./4
'. '' C
') '3 C
'/4 (
(/( (/A
3/(
>
./A
>
./7)
>
E8 8 @4 ,,, B')
)2.
58
#
#
- () *
58
C
58 C
1
"
- '). *
2/) F
'' G
'' G
5-@
18H
./(2 IJ&
GD
1
16-07-2007 SCH
© by SEMIKRON
No Preview Available ! |
SEMiX 101GD12T4s
SEMiX®13s
Trench IGBT Modules
www.DataSheet4U.com
SEMiX 101GD12T4s
Target Data
Features
!
Typical Applications
"
#
$%
& #
Remarks
#
'()* +,
%# ! #
-').*
Characteristics
Symbol Conditions
Inverse Diode
>
1>
'.. ": 8 .
>.
>
1556
E
5-@K
Module
1>
'.. "
8 @') : 3..
##
- () * ,
- '). * ,
- () *
- '). *
- () *
- '). *
- '). *
L
5MBM
5@
6
6
,/
@
#
N 6)
63
() *
'() *
Temperature sensor
5'..
'..* 5()) NC
H'..J'()
55'.. +QH'..J'()'J@'J'..R:
QIR
min.
typ.
(/(
(/'
'/7
./?
?
'(
2/)
(.
./2
'
./.A
7
(/)
./A?79)P
7)).9(P
max.
(/)
(/A)
'/)
'/'
'.
'7/)
./A4
)
)
7).
Units
C
C
"
=
G
IJ&
C
C
IJ&
O
O
NC
I
This is an electrostatic discharge sensitive device (ESDS), international standard
IEC 60747-1, Chapter IX.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no
characteristics. No warranty or guarantee expressed or implied is made regarding
delivery, performance or suitability.
GD
2
16-07-2007 SCH
© by SEMIKRON
No Preview Available ! |
SEMiX 101GD12T4s
www.DataSheet4U.com
Fig. 1 Typ. output characteristic, inclusive RCC'+ EE'
Fig. 2 Rated current vs. temperature IC = f (TC)
Fig. 5 Typ. transfer characteristic
3
Fig. 6 Typ. gate charge characteristic
16-07-2007 SCH
© by SEMIKRON
Скачать PDF:
[ SEMIX101GD12T4S.PDF Даташит ]
Номер в каталоге | Описание | Производители |
SEMIX101GD12T4S | IGBT Modules | Semikron International |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |