DataSheet26.com

S8550 PDF даташит

Спецификация S8550 изготовлена ​​​​«BL» и имеет функцию, называемую «Silicon Epitaxial Planar Transistor».

Детали детали

Номер произв S8550
Описание Silicon Epitaxial Planar Transistor
Производители BL
логотип BL логотип 

4 Pages
scroll

No Preview Available !

S8550 Даташит, Описание, Даташиты
BL Galaxy Electrical
Silicon Epitaxial Planar Transistor
FEATURES
z High Collector Current.(IC= -500mA
z Complementary To S8050.
z Excellent HFE Linearity.
Pb
Lead-free
www.DataSheet4UA.cPomPLICATIONS
z High Collector Current.
ORDERING INFORMATION
Type No.
Marking
S8550
2TY
Production specification
S8550
SOT-23
Package Code
SOT-23
MAXIMUM RATING @ Ta=25unless otherwise specified
Symbol
Parameter
Value
VCBO
VCEO
VEBO
IC
PC
Tj,Tstg
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current -Continuous
Collector Dissipation
Junction and Storage Temperature
-40
-25
-5
-500
300
-55~150
Units
V
V
V
mA
mW
Document number: BL/SSSTC080
Rev.A
www.galaxycn.com
1









No Preview Available !

S8550 Даташит, Описание, Даташиты
BL Galaxy Electrical
Production specification
Silicon Epitaxial Planar Transistor
S8550
ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified
Parameter
Symbol Test conditions
MIN MAX UNIT
Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO
Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO
www.DataSheet4UE.committer-base breakdown voltage
V(BR)EBO
IC=-100μA,IE=0
IC=-1mA,IB=B 0
IE=-100μA,IC=0
-40
-25
-5
V
V
V
Collector cut-off current
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
ICBO
VCB=-40V,IE=0
ICEO
VCE=-20V,IB=B 0
IEBO VEB=-3V,IC=0
-0.1 μA
-0.1 μA
-0.1 μA
DC current gain
VCE=-1V,IC=-50mA
120 350
hFE
VCE=-1V,IC=-500mA
50
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
VCE(sat)
VBE(sat)
Transition frequency
fT
IC=-500 mA, IB=B -50mA
-0.6 V
IC=-500 mA, IB=B -50mA
-1.2 V
VCE=-6V, IC= -20mA
f=30MHz
150
MHz
CLASSIFICATION OF hFE(1)
Rank
Range
L
120-200
H
200-350
Document number: BL/SSSTC080
Rev.A
www.galaxycn.com
2









No Preview Available !

S8550 Даташит, Описание, Даташиты
BL Galaxy Electrical
Production specification
Silicon Epitaxial Planar Transistor
S8550
TYPICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25unless otherwise specified
www.DataSheet4U.com
Document number: BL/SSSTC080
Rev.A
www.galaxycn.com
3










Скачать PDF:

[ S8550.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
S8550TRANSISTOR (PNP)Wing Shing Computer Components
Wing Shing Computer Components
S8550PNP General Purpose TransistorsWeitron Technology
Weitron Technology
S8550LOW VOLTAGE HIGH CURRENT SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORUnisonic Technologies
Unisonic Technologies
S8550Silicon Epitaxial Planar TransistorBL
BL

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск