SEMIX201GD066HDS PDF даташит
Спецификация SEMIX201GD066HDS изготовлена «Semikron International» и имеет функцию, называемую «Trench IGBT Modules». |
|
Детали детали
Номер произв | SEMIX201GD066HDS |
Описание | Trench IGBT Modules |
Производители | Semikron International |
логотип |
4 Pages
No Preview Available ! |
SEMiX 201GD066HDs
SEMiX® 13s
Trench IGBT Modules
www.DataSheet4U.com
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
IGBT
$
$
$#!
4
-6
'( 8. )6 - &(. )
'( 8. )6 - &:( )
&
;6 &
*
Inverse diode
$?
$?
$?#!
$?
!
'( 8. )6 - &(. )
'( 8. )6 - &:( )
&
&. 3
*3 - '( )
'()6
%
Values
Units
1..
'9. &:.
':. '..
9..
< '.
= 9. *** > &:( &'(
9...
;
;
;
)
&@. &5.
'&. &1.
9..
&5..
;
;
;
;
SEMiX 201GD066HDs
Target Data
Features
Typical Applications
!"
#
$
$
Remarks
%
&'() "*
+% , %
-&(.)
%/ 0 1 23 4 0 &( 3 -
&(.)3 51.
Characteristics
'()6
%
Symbol Conditions
min. typ. max. Units
IGBT
4
$
A
D
#E>E
%
F
% F
4 6 $ 169 ;
4 .6
6 - '( )
- '( &(. )
4 &( 6 - '( &(. )
$
'.. ;6 4 &( 6
- '( &(. )6
%
%
4 .6 '( 6 & !C
=6 '( &'( )
5.. 6 $
'.. ;
4 <&(
#4
#4 5 G6 - &(. )
(68
.6@ .68(
'68 965
&69( &6:
.69
& .6@
96( 1
&6@ '6&
;
B
&'65
.6::
.65:
'.
.6: &
&8. F ((
(.. F ('
( 8
?
?
?
B
H
Inverse diode
?
A
$##!
I
$)?
6'. . ; 3 4 . 3 - '( &(.
- '( &(. )
- '( &(. )
$?
'.. ;3 - '( &(. )
%F% 5@.. ;F2
4 =&(
&69 &69
& .68(
' '68
'..
5'
:6(
&61
&6&
'6(
B
;
2
H
Thermal characteristics
#-=
#-=M
#-=?M
#=
$4J
$
M%
?LM
%
.6''(
.65(
KFL
KFL
KFL
.6.9 KFL
Temperature sensor
#'(
J'(F8(
'( )
#'#& "PJ&F'=&F&Q 3 PKQ3J
( <(N
59'.
OG
K
Mechanical data
!F!
O !( F
!1
5F'6(
'@.
( F( R
GD
1
01-12-2005 GES
© by SEMIKRON
No Preview Available ! |
SEMiX 201GD066HDs
www.DataSheet4U.com
Fig. 1 Typ. output characteristic, inclusive RCC'+ EE'
Fig. 2 Rated current vs. temperature IC = f (TC)
Fig. 3 Typ. turn-on /-off energy = f (IC)
Fig. 4 Typ. turn-on /-off energy = f (RG)
Fig. 5 Typ. transfer characteristic
2
Fig. 6 Typ. gate charge characteristic
01-12-2005 GES
© by SEMIKRON
No Preview Available ! |
SEMiX 201GD066HDs
www.DataSheet4U.com
Fig. 7 Typ. switching times vs. IC
Fig. 8 Typ. switching times vs. gate resistor RG
Fig. 9 Transient thermal impedance of IGBT
Fig. 10 Transient thermal impedance of FWD
Fig. 11 CAL diode forward characteristic
Fig. 12 Typ. CAL diode peak reverse recovery current
3
01-12-2005 GES
© by SEMIKRON
Скачать PDF:
[ SEMIX201GD066HDS.PDF Даташит ]
Номер в каталоге | Описание | Производители |
SEMIX201GD066HDS | Trench IGBT Modules | Semikron International |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |