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PDF H7N1004FN Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza H7N1004FN
Descripción Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
Fabricantes Renesas Technology 
Logotipo Renesas Technology Logotipo



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No Preview Available ! H7N1004FN Hoja de datos, Descripción, Manual

H7N1004FN
Silicon N-Channel MOSFET
High-Speed Power Switching
Features
Low on-resistance
RDS(on) = 25 mtyp.
www.DataSheet4U.cLoomw drive current
Available for 4.5 V gate drive
Outline
RENESAS Package code: PRSS0003AB-A
(Package name: TO-220FN)
G
1
23
Absolute Maximum Ratings
Item
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body-drain diode reverse drain current
Avalanche current
Avalanche energy
Channel dissipation
Channel temperature
Storage temperature
Notes: 1. PW 10 µs, duty cycle 1%
2. Value at Tc = 25°C
3. Value at Tch = 25°C, Rg 50
Symbol
VDSS
VGSS
ID
ID (pulse) Note1
IDR
IAP Note 3
EAR Note 3
Pch Note 2
Tch
Tstg
REJ03G1593-0100
Rev.1.00
Oct 23, 2007
D
1. Gate
2. Drain
3. Source
S
Value
100
±20
25
100
25
15
22.5
25
150
–55 to +150
(Ta = 25°C)
Unit
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
REJ03G5193-0100 Rev.1.00 Oct 23, 2007
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H7N1004FN pdf
H7N1004FN
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
50
40
VGS = 10 V
30
20 5 V
0, -5 V
www.DataSheet4U.com
10
Pulse Test
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0
Source Drain Voltage VSD (V)
Maximum Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
40
IAP = 15 A
32 VDD = 50 V
duty < 0.1 %
Rg 50
24
16
8
0
25 50 75 100 125 150
Channel Temperature Tch (°C)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
1
D=1
0.5
0.3
Tc = 25°C
0.2
0.1 0.1
0.05
0.03 0.02
0.01
0.01
1shot
pulse
θch – c(t) = γ s (t) • θ ch – c
θch – c = 5°C/W, Tc = 25°C
PDM
PW
T
D=
PW
T
10 µ 100 µ
1m
10 m
100 m
Pulse Width PW (s)
1
10
Avalanche Test Circuit
Vin
15 V
VDS
Monitor
Rg
50
L
IAP
Monitor
D. U. T
VDD
Avalanche Waveform
EAR =
1
2
• L • IAP2
VDSS
VDSS – VDD
IAP
ID
V(BR)DSS
VDS
VDD
0
REJ03G5193-0100 Rev.1.00 Oct 23, 2007
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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
H7N1004FMSilicon N Channel MOS FET High Speed Power SwitchingRenesas Technology
Renesas Technology
H7N1004FNSilicon N Channel MOS FET High Speed Power SwitchingRenesas Technology
Renesas Technology

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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