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Número de pieza | H5N2801P | |
Descripción | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
Fabricantes | Renesas Technology | |
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No Preview Available ! H5N2801P
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
www.DataSheet4U.com Features
• Low on-resistance
• Low drive current
• High speed switching
Outline
TO-3P
REJ03G0118-0100Z
Rev.1.00
Oct.01.2003
D
G
S
1
2
3
1. Gate
2. Drain (Flange)
3. Source
Rev.1.00, Oct.01.2003, page 1 of 9
1 page H5N2801P
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
5
Pulse Test
4
www.DataSheet4U.com
3
I D = 60 A
2
30 A
1
10 A
0 4 8 12 16 20
Gate to Source Voltage VGS (V)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
0.2
Pulse Test
VGS = 10 V,15 V
0.1
0.05
0.02
0.01
1
2 5 10 20 50 100
Drain Current ID (A)
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
0.1
Pulse Test
VGS = 10 V
0.08
ID = 60 A
0.06 30 A
10 A
0.04
0.02
0
–40 0
40 80 120 160
Case Temperature Tc (°C)
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
100
50
Tc = –25°C
20
10
25°C
5
75°C
2
1
VDS = 10 V
0.5 Pulse Test
0.2
0.2 0.5 1 2 5 10 20
Drain Current ID (A)
50 100
Rev.1.00, Oct.01.2003, page 5 of 9
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PDF Descargar | [ Datasheet H5N2801P.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
H5N2801P | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | Renesas Technology |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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