DataSheet26.com

9N60 PDF даташит

Спецификация 9N60 изготовлена ​​​​«Inchange» и имеет функцию, называемую «N-Channel MOSFET Transistor».

Детали детали

Номер произв 9N60
Описание N-Channel MOSFET Transistor
Производители Inchange
логотип Inchange логотип 

2 Pages
scroll

No Preview Available !

9N60 Даташит, Описание, Даташиты
INCHANGE Semiconductor
iwswwc.DaNtaS-hCeeth4Ua.conmnel Mosfet Transistor
isc Product Specification
9N60
·FEATURES
·Drain Current ID= 8.5A@ TC=25
·Drain Source Voltage-
: VDSS= 600V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 1.0Ω(Max)
·Avalanche Energy Specified
·Fast Switching
·Simple Drive Requirements
·DESCRITION
·Designed for high efficiency switch mode power supply.
·ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VDSS
VGS
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage-Continuous
600
±20
V
V
ID Drain Current-Continuous
8.5 A
IDM Drain Current-Single Plused
34 A
PD Total Dissipation @TC=25
125 W
Tj Max. Operating Junction Temperature 150
Tstg Storage Temperature
-55~150
·THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
MAX UNIT
Rth j-c
Rth j-a
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
1.0 /W
62.5 /W
isc Websitewww.iscsemi.cn









No Preview Available !

9N60 Даташит, Описание, Даташиты
INCHANGE Semiconductor
iwswcw N. D-Ca tha aS nh ne eetl4MU .ocsofmet Transistor
isc Product Specification
9N60
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage
VGS= 0; ID= 0.25mA
VGS(th) Gate Threshold Voltage
RDS(on) Drain-Source On-Resistance
IGSS Gate-Body Leakage Current
VDS= VGS; ID= 0.25mA
VGS= 10V; ID= 5A
VGS= ±20V; VDS= 0
IDSS Zero Gate Voltage Drain Current
VSD Forward On-Voltage
VDS= 600V; VGS= 0
IS= 8.5A; VGS= 0
MIN MAX UNIT
600 V
24V
1.0 Ω
±100 nA
1 μA
1.7 V
·
isc Websitewww.iscsemi.cn










Скачать PDF:

[ 9N60.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
9N60N-Channel MOSFET TransistorInchange
Inchange
9N65N-CHANNEL POWER MOSFETUnisonic Technologies
Unisonic Technologies
9N65N-Channel MOSFET TransistorInchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
9N65K-MTN-CHANNEL POWER MOSFETUnisonic Technologies
Unisonic Technologies

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск