DataSheet26.com

NTE637 PDF даташит

Спецификация NTE637 изготовлена ​​​​«NTE» и имеет функцию, называемую «Schottky Barrier Diode».

Детали детали

Номер произв NTE637
Описание Schottky Barrier Diode
Производители NTE
логотип NTE логотип 

1 Pages
scroll

No Preview Available !

NTE637 Даташит, Описание, Даташиты
NTE637
Schottky Barrier Diode
(Surface Mount)
Absolute Maximum Ratings: (Ta = +25°C, Note 1, unless otherwise specified)
Repetitive Peak Reverse Voltage, VRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
Average Rectified Forward Current, IF(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA
NonRepetitive Peak Forward Surge Current (Pulse Width = 1.0s), IFSM . . . . . . . . . . . . . . . 600mA
Power Dissipation, PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 290mW
Storage Temperature Range, TSTG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55° to +150°C
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55° to +150°C
Thermal Resistance, JunctiontoAmbient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 430°C/W
Note 1. These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device
may be impaired.
Electrical Characteristics: (Tc = +25°C, unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Breakdown Voltage
Forward Voltage
Reverse Leakage
www.DatTaoSthaeleCt4aUp.caocmitance
Reverse Recovery Time
VR IR = 10µA
VF IF = 0.1mA
IF = 1mA
IF = 10mA
IF = 30mA
IF = 100mA
IR VR = 25V
CT VR = 1V, f = 1.0MHz
trr IF = IR = 10mA, IRR = 1.0mA, RL = 100
Min Typ Max Unit
30 − − V
− − 240 mV
− − 320 mV
− − 400 mV
− − 500 mV
− − 0.8 V
− − 2 µA
− − 10 pF
− − 5.0 ns
.016 (0.48)
K .098
(2.5)
A
N.C.
Max
.074
(1.9)
.118 (3.0) Max
.037 (0.95)
.043 (1.1)
.051
(1.3)
.007 (0.2)










Скачать PDF:

[ NTE637.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
NTE63Silicon NPN Transistor High Gain / Low Noise AmpNTE Electronics
NTE Electronics
NTE630Silicon Rectifier Fast Recovery / Dual / Center TapNTE Electronics
NTE Electronics
NTE6354Silicon Power Rectifier Diode / 300 AmpNTE Electronics
NTE Electronics
NTE6365Silicon Power Rectifier Diode / 300 AmpNTE Electronics
NTE Electronics

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск