NTE637 PDF даташит
Спецификация NTE637 изготовлена «NTE» и имеет функцию, называемую «Schottky Barrier Diode». |
|
Детали детали
Номер произв | NTE637 |
Описание | Schottky Barrier Diode |
Производители | NTE |
логотип |
1 Pages
No Preview Available ! |
NTE637
Schottky Barrier Diode
(Surface Mount)
Absolute Maximum Ratings: (Ta = +25°C, Note 1, unless otherwise specified)
Repetitive Peak Reverse Voltage, VRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30V
Average Rectified Forward Current, IF(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200mA
Non−Repetitive Peak Forward Surge Current (Pulse Width = 1.0s), IFSM . . . . . . . . . . . . . . . 600mA
Power Dissipation, PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 290mW
Storage Temperature Range, TSTG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55° to +150°C
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −55° to +150°C
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 430°C/W
Note 1. These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device
may be impaired.
Electrical Characteristics: (Tc = +25°C, unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Breakdown Voltage
Forward Voltage
Reverse Leakage
www.DatTaoSthaeleCt4aUp.caocmitance
Reverse Recovery Time
VR IR = 10µA
VF IF = 0.1mA
IF = 1mA
IF = 10mA
IF = 30mA
IF = 100mA
IR VR = 25V
CT VR = 1V, f = 1.0MHz
trr IF = IR = 10mA, IRR = 1.0mA, RL = 100Ω
Min Typ Max Unit
30 − − V
− − 240 mV
− − 320 mV
− − 400 mV
− − 500 mV
− − 0.8 V
− − 2 µA
− − 10 pF
− − 5.0 ns
.016 (0.48)
K .098
(2.5)
A
N.C.
Max
.074
(1.9)
.118 (3.0) Max
.037 (0.95)
.043 (1.1)
.051
(1.3)
.007 (0.2)
Скачать PDF:
[ NTE637.PDF Даташит ]
Номер в каталоге | Описание | Производители |
NTE63 | Silicon NPN Transistor High Gain / Low Noise Amp | NTE Electronics |
NTE630 | Silicon Rectifier Fast Recovery / Dual / Center Tap | NTE Electronics |
NTE6354 | Silicon Power Rectifier Diode / 300 Amp | NTE Electronics |
NTE6365 | Silicon Power Rectifier Diode / 300 Amp | NTE Electronics |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |