SEMIX302GAL066HD PDF даташит
Спецификация SEMIX302GAL066HD изготовлена «Semikron International» и имеет функцию, называемую «Trench IGBT Modules». |
|
Детали детали
Номер произв | SEMIX302GAL066HD |
Описание | Trench IGBT Modules |
Производители | Semikron International |
логотип |
4 Pages
No Preview Available ! |
SEMiX 302GB066HD
SEMiX® 2
Trench IGBT Modules
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
IGBT
$
$
$#!
3
,5
'( 7- )5 , &(- )
'( 7- )5 , &9( )
&
85 &
>
Inverse diode
$@
$@
$@#!
$@
!
'( 7- )5 , &(- )
'( 7- )5 , &9( )
&
&- 2
>2 , '( )
'()5
%
Values
Units
0--
40- '(-
4:- 4--
0--
; '-
< =- >>> ? &9( &'(
=---
8
8
8
)
4-- '--
44- '=-
0--
&=--
8
8
8
8
SEMiX 302GB066HD
wSwEwM.iDXat3a0S2heGeAt4LU0.c6o6mHD
SEMiX 302GAR066HD
Target Data
Features
Typical Applications
!"
#
$
$
Remarks
%
&'() "
*% + %
,&(-)
%. / 0 12 3 / &( 2 ,
&(-)2 40-
Characteristics
'()5
%
Symbol Conditions
min. typ. max. Units
IGBT
3
$
A
D
#E?E
%
F
% F
3 5 $ 4 8
3 -5
5 , '( &(- )
, '( &(- )
3 &( 5 , '( &(- )
$
4-- 85 3 &( 5
, '( &(- )5
%
%
3 -5 '( 5 & !C
<5 '( &(- )
4-- 5 $
4-- 8
3 ;&(
#3
#3 7 G5 , &(- )
(57
-5: -57(
&57 '57
&5=( &59
-5&
& -5:
4 =
&5: '5&
8
B
&75(
&5'
-5((
&7
-59 &
&&- F 7-
04' F 9-
: &'
@
@
@
B
H
Inverse Diode
@
A
$##!
I
$)@
54- - 8 2 3 - 2 , '( &(-
, '( &(- )
, '( &(- )
$@
4-- 82 , '( &(- )
%F% 8F1
3 <&(
&5= &5=
& -57(
&54 &57
'9-
4950
75=
&50
&5&
&59
B
8
1
H
Thermal characteristics
#,<
#,<M
#,<@M
#<
$3J
$
M%
@LM
%
-5-=(
-5&( KFL
-5'( KFL
KFL
KFL
Temperature sensor
#'(
J'(F7(
'( )
#'#& "PJ&F'<&F&Q 2 PKQ2J
( ;(N
4='-
OG
K
Mechanical data
!F!
O !( F
!0
4F'5(
'(-
( F( R
GB
1
GAL
GAR
24-11-2005 GES
© by SEMIKRON
No Preview Available ! |
SEMiX 302GB066HD
Fig. 1 Typ. output characteristic,
www.DataSheet4U.com
inclusive
RCC'+
EE'
Fig. 2 Rated current vs. temperature IC = f (TC)
Fig. 3 Typ. turn-on /-off energy = f (IC)
Fig. 4 Typ. turn-on /-off energy = f (RG)
Fig. 5 Typ. transfer characteristic
2
Fig. 6 Typ. gate charge characteristic
24-11-2005 GES
© by SEMIKRON
No Preview Available ! |
SEMiX 302GB066HD
Fig. 7 Typ. switching times
www.DataSheet4U.com
vs.
IC
Fig. 8 Typ. switching times vs. gate resistor RG
Fig. 9 Transient thermal impedance of IGBT
Fig. 10 Transient thermal impedance of FWD
Fig. 11 CAL diode forward characteristic
Fig. 12 Typ. CAL diode peak reverse recovery current
3
24-11-2005 GES
© by SEMIKRON
Скачать PDF:
[ SEMIX302GAL066HD.PDF Даташит ]
Номер в каталоге | Описание | Производители |
SEMIX302GAL066HD | Trench IGBT Modules | Semikron International |
SEMIX302GAL066HD | Trench IGBT Modules | Semikron International |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |