DataSheet26.com

SEMIX302GAL066HD PDF даташит

Спецификация SEMIX302GAL066HD изготовлена ​​​​«Semikron International» и имеет функцию, называемую «Trench IGBT Modules».

Детали детали

Номер произв SEMIX302GAL066HD
Описание Trench IGBT Modules
Производители Semikron International
логотип Semikron International логотип 

4 Pages
scroll

No Preview Available !

SEMIX302GAL066HD Даташит, Описание, Даташиты
SEMiX 302GB066HD
SEMiX® 2
Trench IGBT Modules
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
IGBT

$
$
$#!
3
,5  
 
  '( 7- )5 ,  &(- )
  '( 7- )5 ,  &9( )
  & 
85 &  >
Inverse diode
$@
$@
$@#!
$@ !
  '( 7- )5 ,  &(- )
  '( 7- )5 ,  &9( )
  & 
  &-  2  >2 ,  '( )
  '()5       %
Values
Units
0--
40- '(-
4:- 4--
0--
; '-
< =- >>> ? &9( &'(
=---

8
8
8

)

4-- '--
44- '=-
0--
&=--
8
8
8
8
SEMiX 302GB066HD
wSwEwM.iDXat3a0S2heGeAt4LU0.c6o6mHD
SEMiX 302GAR066HD
Target Data
Features
   
        
         
  
Typical Applications
 !"    
 #    $   
      $   
Remarks
       % 
&'() "
 *%   +    %
 ,&(-)
  %.  / 0 1 2 3 / &( 2 ,
 &(-)2   40- 

Characteristics
  '()5       %
Symbol Conditions
min. typ. max. Units
IGBT
3
$
A

 



D
#E?E
% F
% F
  
3  5 $  4 8
3  -5    5 ,  '( &(- )
,  '( &(- )
3  &( 5 ,  '( &(- )
$   4-- 85 3  &( 5
,  '( &(- )5    
%     %
3  -5   '( 5  & !C
  <5  '( &(- )
  4-- 5 $   4-- 8
3  ;&(
#3  #3  7 G5 ,  &(- )
(57
-5: -57(
&57 '57
&5=( &59
-5&
& -5:
4 =
&5: '5&

8

B

&75(
&5'
-5((
&7
-59 &
&&- F 7-
04' F 9-
: &'
@
@
@

B
H
Inverse Diode
@  
A

$##!
I

$)@ 54- - 8 2 3  - 2 ,  '( &(-
,  '( &(- )
,  '( &(- )
$@   4-- 82 ,  '( &(- )
%F%  8F1
3  <&( 
&5= &5=
& -57(
&54 &57
'9-
4950
75=
&50
&5&
&59


B
8
1
H
Thermal characteristics
#,<
#,<M
#,<@M
#< 
  $3J
  $   M%
  @LM
  % 
-5-=(
-5&( KFL
-5'( KFL
KFL
KFL
Temperature sensor
#'(
J'(F7(
  '( )
#'#& "PJ&F'<&F&Q 2 PKQ2J
( ;(N
4='-
OG
K
Mechanical data
! F!

    O !( F     !0
4F'5(
'(-
( F( R

GB
1
GAL
GAR
24-11-2005 GES
© by SEMIKRON









No Preview Available !

SEMIX302GAL066HD Даташит, Описание, Даташиты
SEMiX 302GB066HD
Fig. 1 Typ. output characteristic,
www.DataSheet4U.com
inclusive
RCC'+
EE'
Fig. 2 Rated current vs. temperature IC = f (TC)
Fig. 3 Typ. turn-on /-off energy = f (IC)
Fig. 4 Typ. turn-on /-off energy = f (RG)
Fig. 5 Typ. transfer characteristic
2
Fig. 6 Typ. gate charge characteristic
24-11-2005 GES
© by SEMIKRON









No Preview Available !

SEMIX302GAL066HD Даташит, Описание, Даташиты
SEMiX 302GB066HD
Fig. 7 Typ. switching times
www.DataSheet4U.com
vs.
IC
Fig. 8 Typ. switching times vs. gate resistor RG
Fig. 9 Transient thermal impedance of IGBT
Fig. 10 Transient thermal impedance of FWD
Fig. 11 CAL diode forward characteristic
Fig. 12 Typ. CAL diode peak reverse recovery current
3
24-11-2005 GES
© by SEMIKRON










Скачать PDF:

[ SEMIX302GAL066HD.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
SEMIX302GAL066HDTrench IGBT ModulesSemikron International
Semikron International
SEMIX302GAL066HDTrench IGBT ModulesSemikron International
Semikron International

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск