DataSheet26.com

SEMIX453GAL12T4S PDF даташит

Спецификация SEMIX453GAL12T4S изготовлена ​​​​«Semikron International» и имеет функцию, называемую «Trench IGBT Modules».

Детали детали

Номер произв SEMIX453GAL12T4S
Описание Trench IGBT Modules
Производители Semikron International
логотип Semikron International логотип 

5 Pages
scroll

No Preview Available !

SEMIX453GAL12T4S Даташит, Описание, Даташиты
www.DataSheet4U.net
SEMiX 453GB12T4s
SEMiX®3s
Trench IGBT Modules
SEMiX 453GB12T4s
SEMiX 453GAL12T4s
SEMiX 453GAR12T4s
Target Data
Features
   
        
         
  
     !
Typical Applications
 "     #
 $%
    & # 
Remarks
       # 
'()* +,
 %#   !    #
 -').*
 /     
  !      0
23 4 '4.54
23 4 '4.54
234+(4(5 4
24+.4)5 
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
IGBT

6
-  () *
-  '7) *
62:
62:;+6 
3
 
  8.. = 3 > (. =
 ? '(.. 
Inverse Diode
6A -  '7) *
6A2:
Module
62: 
-
 
 
6A2:;+6A 
"4 '  ,
  ()*4       #
Values
Units
  () *
  9. *
-  '). *
'(..
89)
)()
';).
< (.
'.

"
"
"

@
  () *
  9. *
)B)
B.)
';).
8..
C B. ,,, D '7)
C B. ,,, D '()
B...
"
"
"
"
*
*

Characteristics
  ()*4       #
Symbol Conditions
min. typ. max. Units
IGBT
3
3  4 6  '9 "
) )49 84) 
6
.

 



3  . 4   
3  ') 
6   B). "4 3  ') 
-  () *
-  () *
-  '). *
-  ()*
-  ').*
-  ()* ,
-  ').* ,
  ()4 3  . 
 ' :F
.4; "
.49 .4E 
.47 .49 
(4( (4B 5
;4; ;48 5
'49 ( 
(4( (4B 
(74E A
'47 A
'4) A
G3 3  C9 ,,, D')
(8..

23 
# 


# 

-  () *
23  '4E 5
#I#  B... "I@
23  '4E 5
#I#  )... "I@
  8..
6  B)."
-  '). *
'47 H
;.)
9.
B) J
);)
'..
 ). J
2-C
  63K
.4.8) LI&
GB
GAL
GAR
1
27-09-2007 SCT
© by SEMIKRON









No Preview Available !

SEMIX453GAL12T4S Даташит, Описание, Даташиты
SEMiX 453GB12T4s
Characteristics
SEMiX®3s
Trench IGBT Modules
Symbol Conditions
Inverse Diode
A  
6A   B). "= 3  . 
A.
A
622:
G

2-C/
Module
6A   B). "
#I#  )... "I@
3  C') =   8.. 
  ##
-  () * ,
-  '). * ,
-  () *
-  '). *
-  () *
-  '). *
-  '). *
min.
typ.
(4')
(4.)
'4;
.4E
'4E
(48
;).
7.
(9
max. Units
(4B) 
(4B 
'4) 
'4' 
(4' 5
(4E 5
"
@
J
.4'' LI&
SEMiX 453GB12T4s
SEMiX 453GAL12T4s
SEMiX 453GAR12T4s
Target Data
Features
M
2NDN
2C 
:
:

 ,4   C
  # 
    O :)
    :8
  () *
  '() *
;
(4)
(. 
.47 5
' 5
.4.B LI&
) P
) P
;.. 
   
        
         
  
     !
Temperature sensor
2'..
'..* 2()) O5
K'..I'()
22'.. +RK'..I'()'IC'I'..S=
RLS
.4BE;<)Q
;)).<(Q
O5
L
Typical Applications
 "     #
 $%
    & # 
Remarks
       # 
'()* +,
 %#   !    #
 -').*
 /     
  !      0
23 4 '4.54
23 4 '4.54
234+(4(5 4
24+.4)5 
This is an electrostatic discharge sensitive device (ESDS), international standard
IEC 60747-1, Chapter IX.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no
characteristics. No warranty or guarantee expressed or implied is made regarding
delivery, performance or suitability.
GB
GAL
GAR
2
27-09-2007 SCT
© by SEMIKRON









No Preview Available !

SEMIX453GAL12T4S Даташит, Описание, Даташиты
SEMiX 453GB12T4s
Fig. 1 Typ. output characteristic, inclusive RCC'+ EE'
Fig. 2 Rated current vs. temperature IC = f (TC)
Fig. 3 Typ. turn-on /-off energy = f (IC)
Fig. 4 Typ. turn-on /-off energy = f (RG)
Fig. 5 Typ. transfer characteristic
3
Fig. 6 Typ. gate charge characteristic
27-09-2007 SCT
© by SEMIKRON










Скачать PDF:

[ SEMIX453GAL12T4S.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
SEMIX453GAL12T4STrench IGBT ModulesSemikron International
Semikron International

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск