SEMIX453GAL12T4S PDF даташит
Спецификация SEMIX453GAL12T4S изготовлена «Semikron International» и имеет функцию, называемую «Trench IGBT Modules». |
|
Детали детали
Номер произв | SEMIX453GAL12T4S |
Описание | Trench IGBT Modules |
Производители | Semikron International |
логотип |
5 Pages
No Preview Available ! |
www.DataSheet4U.net
SEMiX 453GB12T4s
SEMiX®3s
Trench IGBT Modules
SEMiX 453GB12T4s
SEMiX 453GAL12T4s
SEMiX 453GAR12T4s
Target Data
Features
!
Typical Applications
"
#
$%
& #
Remarks
#
'()* +,
%# ! #
-').*
/
!
0
23
4
'4.54
23 4
'4.54
234+(4(5 4
24+.4)5
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
IGBT
6
- () *
- '7) *
62:
62:;+6
3
8.. = 3 > (. =
? '(..
Inverse Diode
6A - '7) *
6A2:
Module
62:
-
6A2:;+6A
"4 '
,
()*4
#
Values
Units
() *
9. *
- '). *
'(..
89)
)()
';).
< (.
'.
"
"
"
@
() *
9. *
)B)
B.)
';).
8..
C B. ,,, D '7)
C B. ,,, D '()
B...
"
"
"
"
*
*
Characteristics
()*4
#
Symbol Conditions
min. typ. max. Units
IGBT
3
3 4 6 '9 "
) )49 84)
6
.
3 . 4
3 ')
6
B). "4 3 ')
- () *
- () *
- '). *
- ()*
- ').*
- ()* ,
- ').* ,
()4 3 .
' :F
.4; "
.49 .4E
.47 .49
(4( (4B 5
;4; ;48 5
'49 (
(4( (4B
(74E
A
'47
A
'4)
A
G3 3 C9 ,,, D')
(8..
23
#
#
- () *
23
'4E 5
#I# B... "I@
23 '4E 5
#I# )... "I@
8..
6
B)."
- '). *
'47 H
;.)
9.
B) J
);)
'..
). J
2-C
63K
.4.8) LI&
GB
GAL
GAR
1
27-09-2007 SCT
© by SEMIKRON
No Preview Available ! |
SEMiX 453GB12T4s
Characteristics
SEMiX®3s
Trench IGBT Modules
Symbol Conditions
Inverse Diode
A
6A
B). "= 3 .
A.
A
622:
G
2-C/
Module
6A
B). "
#I# )... "I@
3 C') = 8..
##
- () * ,
- '). * ,
- () *
- '). *
- () *
- '). *
- '). *
min.
typ.
(4')
(4.)
'4;
.4E
'4E
(48
;).
7.
(9
max. Units
(4B)
(4B
'4)
'4'
(4' 5
(4E 5
"
@
J
.4'' LI&
SEMiX 453GB12T4s
SEMiX 453GAL12T4s
SEMiX 453GAR12T4s
Target Data
Features
M
2NDN
2C
:
:
,4
C
#
O :)
:8
() *
'() *
;
(4)
(.
.47 5
' 5
.4.B LI&
) P
) P
;..
!
Temperature sensor
2'..
'..* 2()) O5
K'..I'()
22'.. +RK'..I'()'IC'I'..S=
RLS
.4BE;<)Q
;)).<(Q
O5
L
Typical Applications
"
#
$%
& #
Remarks
#
'()* +,
%# ! #
-').*
/
!
0
23
4
'4.54
23 4
'4.54
234+(4(5 4
24+.4)5
This is an electrostatic discharge sensitive device (ESDS), international standard
IEC 60747-1, Chapter IX.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no
characteristics. No warranty or guarantee expressed or implied is made regarding
delivery, performance or suitability.
GB
GAL
GAR
2
27-09-2007 SCT
© by SEMIKRON
No Preview Available ! |
SEMiX 453GB12T4s
Fig. 1 Typ. output characteristic, inclusive RCC'+ EE'
Fig. 2 Rated current vs. temperature IC = f (TC)
Fig. 3 Typ. turn-on /-off energy = f (IC)
Fig. 4 Typ. turn-on /-off energy = f (RG)
Fig. 5 Typ. transfer characteristic
3
Fig. 6 Typ. gate charge characteristic
27-09-2007 SCT
© by SEMIKRON
Скачать PDF:
[ SEMIX453GAL12T4S.PDF Даташит ]
Номер в каталоге | Описание | Производители |
SEMIX453GAL12T4S | Trench IGBT Modules | Semikron International |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |