SEMIX453GB176HDS PDF даташит
Спецификация SEMIX453GB176HDS изготовлена «Semikron International» и имеет функцию, называемую «Trench IGBT Modules». |
|
Детали детали
Номер произв | SEMIX453GB176HDS |
Описание | Trench IGBT Modules |
Производители | Semikron International |
логотип |
5 Pages
No Preview Available ! |
www.DataSheet4U.net
SEMiX 453GB176HDs
SEMiX® 3s
Trench IGBT Modules
SEMiX 453GB176HDs
Preliminary Data
Features
!
Typical Applications
"
#
$%
#
Remarks
! # &
'(((
# &
')((
Absolute Maximum Ratings
)* +,
#
Symbol Conditions
Values
Units
IGBT
0
- )* +
- '*( +
)* +
2( +
'/((
11*
3'*
"
"
045
045)60
7(( "
8
9 )(
')(( : 8 ; )( : - ')* +
< '/((
'( =
Inverse Diode
0> - '*( +
)* +
2( +
*1* "
37* "
0>45
0>45)60>
7(( "
0>
5
'( :
?
- )* +
)@((
"
Module
045
7(( "
-
A 1( ??? B '*(
+
A 1( ??? B ')*
+
", '
?
1(((
Characteristics
)* +,
#
Symbol Conditions
min. typ. max. Units
IGBT
8
8 , 0 ') "
*,) *,2 7,1
0
(
8 ( ,
8 (
0
3(( ", 8 '*
- )* +
- )* +
- ')* +
- )*+
- ')*+
- )*+ ?
- ')*+ ?
)*, 8 (
' 5D
(,1* "
' ',)
(,@ ','
3,3 1,) C
*,) 7 C
) ),1*
),1* ),@
)7,1
>
','
>
(,22
>
E8
#
#
8 A2 ??? B'*
48
1,3 C
48 1,3 C
')((
0
3(("
- ')* +
)2((
33*
/(
)'*
@@(
'*(
F
')* F
4-A
08G
(,(/' HIJ
GB
1
18-04-2007 SCH
© by SEMIKRON
No Preview Available ! |
SEMiX 453GB176HDs
SEMiX® 3s
Trench IGBT Modules
SEMiX 453GB176HDs
Preliminary Data
Features
!
Typical Applications
"
#
$%
#
Remarks
! # &
'(((
# &
')((
Characteristics
Symbol Conditions
Inverse Diode
>
>(
>
0445
E
0>
3(( ": 8 (
0>
3(( "
#I# 1/(( "I=
- )* + ?
- ')* + ?
- )* +
- ')* +
- )* +
- ')* +
- ')* +
8 A'* : ')((
4-AK
##
Module
L
4MBM
4A
5
5
?,
A
#
N 5*
57
)* +
')* +
Temperature sensor
4'((
'((+ 4)** NC
G'((I')*
44'(( 6QG'((I')*'IA'I'((R:
QHR: G
min.
typ.
',*
',1*
','
(,@
',3
',2
3*(
''*
7*
)(
(,/
'
(,(1
3
),*
(,1@39*P
3**(9)P
max.
',/
',7*
',3
','
(,''
*
*
3((
Units
C
C
"
=
F
HIJ
C
C
HIJ
O
O
NC
H
This is an electrostatic discharge sensitive device (ESDS), international standard
IEC 60747-1, Chapter IX.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no
characteristics. No warranty or guarantee expressed or implied is made regarding
delivery, performance or suitability.
GB
2
18-04-2007 SCH
© by SEMIKRON
No Preview Available ! |
SEMiX 453GB176HDs
Fig. 1 Typ. output characteristic, inclusive RCC'+ EE'
Fig. 2 Rated current vs. temperature IC = f (TC)
Fig. 3 Typ. turn-on /-off energy = f (IC)
Fig. 4 Typ. turn-on /-off energy = f (RG)
Fig. 5 Typ. transfer characteristic
3
Fig. 6 Typ. gate charge characteristic
18-04-2007 SCH
© by SEMIKRON
Скачать PDF:
[ SEMIX453GB176HDS.PDF Даташит ]
Номер в каталоге | Описание | Производители |
SEMIX453GB176HD | Trench IGBT Modules | Semikron International |
SEMIX453GB176HDS | Trench IGBT Modules | Semikron International |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |