DataSheet26.com

C4007 PDF даташит

Спецификация C4007 изготовлена ​​​​«Inchange Semiconductor» и имеет функцию, называемую «NPN Transistor - 2SC4007».

Детали детали

Номер произв C4007
Описание NPN Transistor - 2SC4007
Производители Inchange Semiconductor
логотип Inchange Semiconductor логотип 

2 Pages
scroll

No Preview Available !

C4007 Даташит, Описание, Даташиты
www.DataSheet.co.kr
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2SC4007
DESCRIPTION
·Low Collector Saturation Voltage
: VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC= 2A
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 80V (Min)
·Wide Area of Safe Operation
·Complement to Type 2SA1634
APPLICATIONS
·Designed for audio and general purpose applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)
i.cnSYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
.iscsemVCBO
Collector-Base Voltage
100 V
wwwVCEO
Collector-Emitter Voltage
80 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
6V
IC Collector Current-Continuous
4A
ICM Collector Current-Peak
Collector Power Dissipation
@ TC=25
PC
Collector Power Dissipation
@ Ta=25
TJ Junction Temperature
6A
40
W
2
150
Tstg Storage Temperature Range
-55~150
isc Websitewww.iscsemi.cn
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/









No Preview Available !

C4007 Даташит, Описание, Даташиты
www.DataSheet.co.kr
INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
2SC4007
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
TC=25unless otherwise specified
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN TYP. MAX UNIT
V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage
IC= 50μA; IE= 0
100
V
V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 25mA; IB= 0
80
V
V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage
IE= 50μA; IC= 0
6
V
VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 2A; IB=B 0.2A
1.0 V
VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage
IC= 2A; IB=B 0.2A
ICBO Collector Cutoff Current
VCB= 100V; IE= 0
IEBO Emitter Cutoff Current
i.cnhFE DC Current Gain
.iscsemfT Current-Gain—Bandwidth Product
wwwCOB Output Capacitance
VEB= 6V; IC= 0
IC= 1A ; VCE= 4V
IE= -0.2A ; VCE= 12V
IE=0 ; VCB= 10V; ftest= 1MHz
100
‹ hFE classifications
10
60
EFG
100-200 160-320 250-500
1.5 V
10 μA
10 μA
500
MHz
pF
isc Websitewww.iscsemi.cn
2
Datasheet pdf - http://www.DataSheet4U.net/










Скачать PDF:

[ C4007.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
C400MONOLITHIC WIDEBAND CRT DISTORTION CORRECTION DEVICEIntronice
Intronice
C4001NPN Transistor - 2SC4001NEC
NEC
C4002NPN Transistor - 2SC4002Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device
C4002NPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorON Semiconductor
ON Semiconductor

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск