DataSheet26.com

HBU3150A PDF даташит

Спецификация HBU3150A изготовлена ​​​​«HuaShan» и имеет функцию, называемую «NPN Silicon Transistor».

Детали детали

Номер произв HBU3150A
Описание NPN Silicon Transistor
Производители HuaShan
логотип HuaShan логотип 

2 Pages
scroll

No Preview Available !

HBU3150A Даташит, Описание, Даташиты
汕头华汕电子器件有限公司
NPN SILICON TRANSISTOR
HBU3150A
对应国外型号
BU3150
█ 主要用途
电子镇流器、节能灯、充电器及各类功率开关电路。
█ 极限值Ta=25℃)
Tstg——贮存温度………………………………… -65~150
Tj——结温…………………………………………… 150
PC——集电极耗散功率(Tc=25℃)………………………… 40W
VCBO——集电极—基极电压…………………………… 1000V
VCEO——集电极—发射极电压…………………………… 530V
VEBO——发射极—基极电压…………………………………… 9V
IC——集电极电流(DC)……………………………………… 1.5A
IC——集电极电流(脉冲)…………………………………… 3A
█ 外形图及引脚排列
TO-220
1―基 极,B
2―集电极,C
3―发射极,E
█ 电参数Ta=25℃)
参数符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICEO
ICES
IEBO
HFE
符号说明
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
集电极—发射极截止电流
集电极—发射极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
VCE(sat)
VBE(sat)
tSTG
集电极—发射极饱和电压
基极—发射极饱和电压
贮存时间
最小值
1000
530
9
12
15
6
2
典型值
最大值
100
10
10
40
1
1.4
6
单位
V
V
V
μA
μA
μA
V
V
μS
测试条件
IC=1mA,IE=0
IC=5mA,IB=0
IE=1mA,IC=0
VCE=500V,IB=0
VCB=920V,IE=0
VEB=9V, IC=0
VCE=10V, IC=1mA
VCE=10V, IC=0.4A
VCE=10V, IC=1A
IC=1A, IB=0.25A
IC=1A, IB=0.25A
VCC=5V, IC=0.5A(UI9600)
http://www.Datasheet4U.com









No Preview Available !

HBU3150A Даташит, Описание, Даташиты
汕头华汕电子器件有限公司
█ 特性曲线
NPN SILICON TRANSISTOR
HBU3150A
对应国外型号
BU3150
http://www.Datasheet4U.com










Скачать PDF:

[ HBU3150A.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
HBU3150ANPN Silicon TransistorHuaShan
HuaShan

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск