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PDF 65DN06 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 65DN06 | |
| Descripción | Rectifier Diode | |
| Fabricantes | Infineon | |
| Logotipo |  |
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N Datenblatt / Data sheet
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
65DN06
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
PerKiodeisncnhedaStpeitznensperrspannung
Tvj = -40°C... Tvj max
repetitive peak reverse voltages
Elektrische EigenschaftenDurchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
TC = 129 °C
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlaßkennlinie 4000 A ≤ iF ≤ 40000 A
on-state characteristic
v F = A + B ⋅ iF + C ⋅ ln ( iF + 1 ) + D ⋅
Sperrstrom
reverse current
iF
Tvj = Tvj max , iF = 10 kA
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
VRRM
IFRMSM
IFAVM
IFSM
I²t
600 V
13300 A
8470 A
103000 A
95000 A
53000 10³A²s
45000 10³A²s
vF
V(TO)
rT
A=
B=
C=
D=
iR
max.
0,98 V
0,7 V
0,027 mΩ
2,460E-01
1,982E-05
6,119E-02
-3,675E-04
max.
100 mA
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
Thermische Eigenschaftenthermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Übergangs-Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
thermal resistance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
RthJC
RthCH
Tvj max
Tc op
Tstg
max. 0,0047 °C/W
max. 0,0040 °C/W
max. 0,0025 °C/W
180 °C
-40...+180 °C
-40...+180 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
Seite 2
page 2
F 55...80 kN
G typ. 155 g
50 m/s²
prepared by: H.Sandmann
approved by: M.Leifeld
date of publication: 2011-02-17
revision:
3.0
IFBIP D AEC / 2011-02-17, H.Sandmann A 06/11
Seite/page
1/7
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1 page  
N
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
65DN06
16000
14000
12000
10000
8000
6000
4000
2000
0
0
2000
Durchlassverluste
a
ed
f
cb
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
4000
6000
8000
IFAV [A]
10000
12000
14000
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PFAV = f(IFAV)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
Tc beidseitig
2000
Parameter:
a - DC
b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2)
c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2)
d - rec 60°el (M 6)
e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungs-
belastung / Reverse voltage load)
f ed
cb
a
4000
6000
8000
I FAV [A]
10000
12000
14000
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAV)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
IFBIP D AEC / 2011-02-17, H.Sandmann A 06/11
Seite/page
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 65DN02 | (65DN02 - 65DN06) Rectifier Diode |  eupec |
| 65DN03 | (65DN02 - 65DN06) Rectifier Diode | eupec |
| 65DN04 | (65DN02 - 65DN06) Rectifier Diode | eupec |
| 65DN05 | (65DN02 - 65DN06) Rectifier Diode | eupec |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
|
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