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PDF 2SK3079 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | 2SK3079 | |
| Descripción | FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE | |
| Fabricantes | Toshiba Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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2SK3079
TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE
2SK3079
900 MHz BAND AMPLIFIER APPLICATIONS (GSM)
l Output Power
l Gain :
l Drain Efficiency
: PO = 33.0dBmW (Min)
GP = 7.0dB (Min)
: ηD = 40% (Min)
Unit: mm
MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)
CHARACTERISTIC S
YMBOL
RATING
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Drain Current
Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature Range
VDSS 10
VGSS 5
ID
PD* 20.
Tch 150
Tstg
5
0
−45~150 °
*: Tc = 25°C When mounted on a 1.6 mm glass epoxy PCB
UNIT
V
V
A
W
°C
C
MARKING
JEDEC —
JEITA
TOSHIBA
—
2−5N1A
1 2001-11-20
http://www.Datasheet4U.com
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| 2SK3070 | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |  Hitachi Semiconductor |
| 2SK3070L | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | Hitachi Semiconductor |
| 2SK3070S | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | Hitachi Semiconductor |
| 2SK3072 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |  Sanyo Semicon Device |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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