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PDF NTE333 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE333 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistors | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE333 & NTE334
Silicon NPN Transistors
RF Power Output
Description:
The NTE333 & NTE334 are designed for power amplifier applications in industrial, commercial and
amateur radio equipment to 30MHz.
Features:
D Specified 12.5 Volt, 30MHz Characteristics−
Output Power = 60 Watts
Minimum Gain = 13dB
Efficiency = 55%
Absolute Maximum Ratings:
Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18V
Collector−Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V
Emitter−Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V
Collector Current−Continuous, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A
Total
DDeveircaeteDAisbsoipvaeti2o5n°(CTC.
=
..
.+.2.5.°.C. ).,.P. D. .
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. . 175W
1.0W/°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65° to +150°C
Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0°C/W
Note 1. NTE334 is a discontinued device and no longer available.
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified).
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
OFF Characteristics
Collector−Emitter Breakdown Voltage
Collector−Emitter Breakdown Voltage
Emitter−Base Breakdown Voltage
ON Characteristics
DC Current Gain
Dynamic Characteristics
Output Capacitance
Common−Emitter Amplifier Power Gain
Collector Efficiency
Series Equivalent Input Impedance
Series Equivalent Output Impedance
V(BR)CEO
V(BR)CES
V(BR)EBO
IC = 100mA, IB = 0
IC = 50mA, VBE = 0
IE = 10mA, IC = 0
hFE IC = 5.0A, VCE = 5.0V
Cob VCB = 12.5Vdc, IE = 0, f = 1.0MHz
Gpe VCC = 12.5Vdc, Pout = 60W, f = 30MHz
η VCC = 12.5Vdc, Pout = 60W, f = 30MHz
Zin VCC = 12.5Vdc, Pout = 60W, f = 30MHz
Zout VCC = 12.5Vdc, Pout = 60W, f = 30MHz
18 − − V
36 − − V
4.0 − − V
10 − 150
− − 250 pF
13 − − dB
55 − − %
− 1.6 − Ohms
−
j.844
− 1.7 − Ohms
−
j.188
http://www.Datasheet4U.com
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE330 | Germanium PNP Transistor High Power Switch | NTE |
| NTE3300 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | NTE |
| NTE3301 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | NTE |
| NTE3302 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Channel Enhancement Mode / High Speed Switch | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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