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PDF NTE341 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE341 | |
| Descripción | Silicon NPN Transistor RF Power Output | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE341
Silicon NPN Transistor
RF Power Output
Description:
The NTE341 is a epitaxial silicon NPN transistor designed primarily for VHF mobile communications.
The chip of this transistor is mounted so as to isolate the collector lead and ground the emitter lead
for high gain performance.
Features:
D 175MHz
D 12.5 Volts
D POUT = 4W Minimum
D GP = 12dB
D Grounded Emitter
Absolute Maximum Ratings: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Collector−Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V
Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18V
Collector−Emitter Voltage, VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V
Emitter−Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 640mA
Total Device Dissipation, Ptot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8W
Operating Junction Temperature, Tj . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +200°C
Storage Temperatures Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65° to +200°C
Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21.9°C/W
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
OFF Characteristics
Collector−Emitter Breakdown Voltage
Emitter−Base Breakdown Voltage
Collector Cutoff Current
ON Characteristics
V(BR)CEO
V(BR)CES
V(BR)EBO
ICBO
IC = 10mA, IB = 0
IC = 5mA, VBE = 0
IC = 0, IE = 1mA
VCB = 15V, IE = 0
DC Current Gain
Dynamic Characteristics
hFE VCE = 5V, IC = 50mA
Output Power
Common−Emitter Amplifier Power Gain
Output Capacitance
POUT
GPE
Cob
VCE = 12.5V, f = 175MHz
VCE = 12.5V, f = 175MHz
VCE = 15V, f = 1MHz
Min Typ Max Unit
18 − − V
36 − − V
4 − −V
− − 250 µA
10 − 100
4 − −W
12 − − dB
− 180 230 pF
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE340 | Silicon NPN Transistor RF Power Output / High Frequency | NTE |
| NTE341 | Silicon NPN Transistor RF Power Output | NTE |
| NTE342 | Silicon NPN Transistor RF Power Output (PO = 6W / 175MHz) | NTE |
| NTE343 | Silicon NPN Transistor RF Power Output (PO = 14W / 175MHz) | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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