C3192 PDF даташит
Спецификация C3192 изготовлена «Jing Hi-Tech» и имеет функцию, называемую «NPN SIlicon». |
|
Детали детали
Номер произв | C3192 |
Описание | NPN SIlicon |
Производители | Jing Hi-Tech |
логотип |
1 Pages
No Preview Available ! |
广东省粤晶高科股份有限公司
■■主要用途:高频、甚高频放大及振荡等。
■■绝对最大额定值(Ta=25℃)
项目
符 号 额定值 单 位
集电极—基极电压
VCBO
35
V
集电极—发射极电压 VCEO
30
V
发射极—基极电压
VEBO
4
V
集电极电流
IC 50 mA
集电极耗散功率 PC 625 mW
结温
TJ 150 ℃
存储温度
Tstg ﹣55~150 ℃
C3192
—NPN silicon —
■■电参数(Ta=25℃)
项目
符号
最小值 典型值 最大值 单位
测 试条件
直流电流增益
hFE 40
240 VCE= 12 V,Ic= 2 mA
集电极-基极截止电流 ICBO
发射极-基极截止电流 IEBO
集电极-基极击穿电压 BVCBO
集电极-发射极击穿电压 BVCEO
发射极-基极击穿电压 BVEBO
基极-发射极电压
VBE
集电极-发射极饱和压降 VCE(sat)
基极-发射极饱和压降 VBE(sat)
电流增益-带宽乘积
fT
共基极输出电容
Cob
功率增益
GP
35
30
4
100
27
0.1
1
0.7 1
0.4
1
300
2 3.2
29 33
μA VCB= 35 V,IE=0
μA VEB= 4 V,Ic=0
V Ic= 0.1 mA,IE=0
V Ic= 1 mA,IB=0
V IE= 0.1 mA,Ic=0
V VCE= 10 V,Ic= 1 mA
V Ic= 10 mA,IB= 1 mA
V Ic= 10 mA, IB= 1 mA
MHz Ic= 1 mA,VCE= 10 V
PF VCB=10 V, IE=0, f = 1 MHz
dB VCE= 6 V,IE= -1 mA f =0.7 MHz
■■hFE 分档及其标识志
分档
R O Y
hFE
40~80
70~140
120~240
Скачать PDF:
[ C3192.PDF Даташит ]
Номер в каталоге | Описание | Производители |
C3192 | NPN SIlicon | Jing Hi-Tech |
C3192 | NPN Transistor | TIP |
C3194 | NPN Transistor | TIP |
C3195 | NPN silicon | FGX |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |