DataSheet26.com

C3192 PDF даташит

Спецификация C3192 изготовлена ​​​​«Jing Hi-Tech» и имеет функцию, называемую «NPN SIlicon».

Детали детали

Номер произв C3192
Описание NPN SIlicon
Производители Jing Hi-Tech
логотип Jing Hi-Tech логотип 

1 Pages
scroll

No Preview Available !

C3192 Даташит, Описание, Даташиты
广东省粤晶高科股份有限公司
■■主要用途:高频、甚高频放大及振荡等。
■■绝对最大额定值(Ta25℃)
项目
符 号 额定值 单 位
集电极—基极电压
VCBO
35
V
集电极—发射极电压 VCEO
30
V
发射极—基极电压
VEBO
4
V
集电极电流
IC 50 mA
集电极耗散功率 PC 625 mW
结温
TJ 150 ℃
存储温度
Tstg 55~150
C3192
—NPN silicon —
■■电参数(Ta=25℃)
项目
符号
最小值 典型值 最大值 单位
测 试条件
直流电流增益
hFE 40
240 VCE= 12 VIc= 2 mA
集电极-基极截止电流 ICBO
发射极-基极截止电流 IEBO
集电极-基极击穿电压 BVCBO
集电极-发射极击穿电压 BVCEO
发射极-基极击穿电压 BVEBO
基极-发射极电压
VBE
集电极-发射极饱和压降 VCE(sat)
基极-发射极饱和压降 VBE(sat)
电流增益-带宽乘积
fT
共基极输出电容
Cob
功率增益
GP
35
30
4
100
27
0.1
1
0.7 1
0.4
1
300
2 3.2
29 33
μA VCB= 35 VIE=0
μA VEB= 4 VIc=0
V Ic= 0.1 mAIE=0
V Ic= 1 mAIB=0
V IE= 0.1 mAIc=0
V VCE= 10 VIc= 1 mA
V Ic= 10 mAIB= 1 mA
V Ic= 10 mA, IB= 1 mA
MHz Ic= 1 mAVCE= 10 V
PF VCB=10 V, IE=0, f = 1 MHz
dB VCE= 6 VIE= -1 mA f =0.7 MHz
■■hFE 分档及其标识志
分档
R        O        Y
hFE
4080
70140
120240










Скачать PDF:

[ C3192.PDF Даташит ]

Номер в каталогеОписаниеПроизводители
C3192NPN SIliconJing Hi-Tech
Jing Hi-Tech
C3192NPN TransistorTIP
TIP
C3194NPN TransistorTIP
TIP
C3195NPN siliconFGX
FGX

Номер в каталоге Описание Производители
TL431

100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор

Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
IRF840

8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор

Vishay
Vishay
LM317

Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А

STMicroelectronics
STMicroelectronics

DataSheet26.com    |    2020    |

  Контакты    |    Поиск