C536 PDF даташит
Спецификация C536 изготовлена «WEJ» и имеет функцию, называемую «NPN Transistor - 2SC536». |
|
Детали детали
Номер произв | C536 |
Описание | NPN Transistor - 2SC536 |
Производители | WEJ |
логотип |
1 Pages
No Preview Available ! |
2SC536
2SC536 TRANSISTOR (NPN)
FEATURES
TO-92
Power dissipation
PCM:
400 mW (Tamb=25℃)
Collector current
ICM: 100 mA
Collector-base voltage
V(BR)CBO:
40 V
Operating and storage junction temperature range
TJ, Tstg: -55℃ to +150℃
1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
123
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test conditions
MIN TYP
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
V(BR)CBO
V(BR)CEO
Ic=100µA, IE=0
Ic=1mA, IB=0
40
30
Emitter-Base breakdown voltage
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
V(BR)EBO
ICBO
IEBO
IE=100µA, IC=0
VCB=35V, IE=0
VEB=4V, IC=0
5
DC current gain
Collector-emitter saturation voltage
Transition frequency
hFE
VCE(sat)
fT
VCE=6V, IC=1mA
IC=50mA, IB=5mA
VCE=6V, IC=1mA
60
100
Collector output capacitance
Cob VCE=6V, f=1MHz
3.5
MAX UNIT
V
V
V
1 µA
1 µA
960
0.5 V
MHz
pF
CLASSIFICATION OF hFE
Rank
D
Range
60-120
E
100-200
F
160-320
G
280-560
H
480-960
Скачать PDF:
[ C536.PDF Даташит ]
Номер в каталоге | Описание | Производители |
C5300 | VCXO 9X14 J Leaded Surface Mount Package Reflow Process Compatible Optional ACMOS | Vectron International |
C5300 | NPN Transistor - 2SC5300 | Sanyo |
C5301 | NPN Transistor - 2SC5301 | Sanyo Semicon Device |
C5302 | NPN Transistor - 2SC5302 | Sanyo Semicon Device |
Номер в каталоге | Описание | Производители |
TL431 | 100 мА, регулируемый прецизионный шунтирующий регулятор |
Unisonic Technologies |
IRF840 | 8 А, 500 В, N-канальный МОП-транзистор |
Vishay |
LM317 | Линейный стабилизатор напряжения, 1,5 А |
STMicroelectronics |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты | Поиск |